Power Integrations Schaltdiode Einfach 12A 1 Element/Chip THT 600V TO-220AC 2-Pin SiC-Schottky
- RS Best.-Nr.:
- 231-8074P
- Herst. Teile-Nr.:
- QH12TZ600Q
- Marke:
- Power Integrations
930 lieferbar innerhalb von 6-8 Werktagen.
Preis pro Stück (in Stange(n))
CHF.1.355
| Stück | Pro Stück |
| 10 - 10 | CHF.1.355 |
| 15 - 15 | CHF.1.313 |
| 20 - 20 | CHF.1.281 |
| 25 + | CHF.1.25 |
- RS Best.-Nr.:
- 231-8074P
- Herst. Teile-Nr.:
- QH12TZ600Q
- Marke:
- Power Integrations
Mehr Infos und technische Dokumente
Rechtliche Anforderungen
Produktdetails
Die Power Integrations SiC-Ersatzdiode der Serie Qspeed H hat die niedrigste Qrr von jeder 600-V-Siliziumdiode. Seine Wiederherstellungseigenschaften erhöhen die Effizienz, reduzieren elektromagnetische Störungen und beseitigen Stöber. Er ersetzt SiC-Dioden für ähnliche Effizienzleistungen in Anwendungen mit hoher Schaltfrequenz.
Eigenschaften und Vorteile
Niedriger Qrr, niedriger IRRM, niedriger TRR
Hohe DIF/dt-Fähigkeit (1000 A/μs)
Weiche Erholung
AEC-Q101-qualifiziert
FAB-, Montage- und Prüfbescheinigung gemäß IATF 16949
Keine Notwendigkeit für Klemm-Stromkreise
Reduziert die Größe und Anzahl der EMI-Filterkomponenten
Ermöglicht extrem schnelles Schalten
Hohe DIF/dt-Fähigkeit (1000 A/μs)
Weiche Erholung
AEC-Q101-qualifiziert
FAB-, Montage- und Prüfbescheinigung gemäß IATF 16949
Keine Notwendigkeit für Klemm-Stromkreise
Reduziert die Größe und Anzahl der EMI-Filterkomponenten
Ermöglicht extrem schnelles Schalten
Anwendungen
Leistungsfaktorkorrektur-Boost-Diode im integrierten Ladegerät
Ausgangsgleichrichter des integrierten Ladegeräts
Ausgangsgleichrichter des integrierten Ladegeräts
Technische Daten
Eigenschaft | Wert |
|---|---|
| Diodenkonfiguration | Einfach |
| Durchlassstrom max. | 12A |
| Montage-Typ | THT |
| Anzahl der Elemente pro Chip | 1 |
| Sperrspannung max. | 600V |
| Gehäusegröße | TO-220AC |
| Diodentechnologie | SiC-Schottky |
| Pinanzahl | 2 |