Intelligent Memory SDRAM 256 MB Oberfläche 16 Bits/Wort 16 bit 6 ns FBGA 54-Pin
- RS Best.-Nr.:
- 588-655
- Herst. Teile-Nr.:
- IM2516SDBDBG-6I
- Marke:
- Intelligent Memory
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- RS Best.-Nr.:
- 588-655
- Herst. Teile-Nr.:
- IM2516SDBDBG-6I
- Marke:
- Intelligent Memory
Technische Daten
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Produktdetails
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Alle auswählen | Eigenschaft | Wert |
|---|---|---|
| Marke | Intelligent Memory | |
| Produkt Typ | SDRAM | |
| Speicher Größe | 256MB | |
| Datenbus-Breite | 16bit | |
| Taktfrequenz max. | 166MHz | |
| Anzahl der Bits pro Wort | 16 | |
| Zugriffszeit max. | 6ns | |
| Anzahl der Wörter | 16 | |
| Montageart | Oberfläche | |
| Gehäusegröße | FBGA | |
| Betriebstemperatur min. | -40°C | |
| Pinanzahl | 54 | |
| Maximale Betriebstemperatur | 85°C | |
| Normen/Zulassungen | Lead-free/RoHS | |
| Maximale Versorgungsspannung | 3.6V | |
| Automobilstandard | Nein | |
| Versorgungsstrom | 62mA | |
| Minimale Versorgungsspannung | 3V | |
| Alle auswählen | ||
|---|---|---|
Marke Intelligent Memory | ||
Produkt Typ SDRAM | ||
Speicher Größe 256MB | ||
Datenbus-Breite 16bit | ||
Taktfrequenz max. 166MHz | ||
Anzahl der Bits pro Wort 16 | ||
Zugriffszeit max. 6ns | ||
Anzahl der Wörter 16 | ||
Montageart Oberfläche | ||
Gehäusegröße FBGA | ||
Betriebstemperatur min. -40°C | ||
Pinanzahl 54 | ||
Maximale Betriebstemperatur 85°C | ||
Normen/Zulassungen Lead-free/RoHS | ||
Maximale Versorgungsspannung 3.6V | ||
Automobilstandard Nein | ||
Versorgungsstrom 62mA | ||
Minimale Versorgungsspannung 3V | ||
- Ursprungsland:
- TW
Der Intelligent Memory-DDR-DRAM erreicht Hochgeschwindigkeits-Datenübertragungsraten durch eine Chip-Architektur, die mehrere Bits vorabruft und die Ausgangsdaten mit einem Systemtakt synchronisiert. Er unterstützt Systemfrequenzen und ermöglicht so eine schnelle und effiziente Leistung. Das Design umfasst interne Bänke für den gleichzeitigen Betrieb und nutzt eine 4-Bit-Prefetch-Architektur zur Steigerung des Datendurchsatzes.
„RoHS-Konformität
PASR partielle Array-Selbstaktualisierung
Automatische Aktualisierung und Selbstaktualisierung
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