Intelligent Memory SDRAM 512 MB 32M x 16 Oberfläche 72 Bits/Wort 16 bit 7.5 ns FBGA 54-Pin
- RS Best.-Nr.:
- 588-664
- Herst. Teile-Nr.:
- IME5116SDBETG-75
- Marke:
- Intelligent Memory
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Technische Daten
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Produktdetails
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Alle auswählen | Eigenschaft | Wert |
|---|---|---|
| Marke | Intelligent Memory | |
| Speicher Größe | 512MB | |
| Produkt Typ | SDRAM | |
| Organisation | 32M x 16 | |
| Datenbus-Breite | 16bit | |
| Anzahl der Bits pro Wort | 72 | |
| Taktfrequenz max. | 166MHz | |
| Zugriffszeit max. | 7.5ns | |
| Anzahl der Wörter | 16777216 Words | |
| Montageart | Oberfläche | |
| Gehäusegröße | FBGA | |
| Betriebstemperatur min. | -40°C | |
| Pinanzahl | 54 | |
| Maximale Betriebstemperatur | 85°C | |
| Normen/Zulassungen | JEDEC | |
| Serie | IME51(08/16)SDBET | |
| Minimale Versorgungsspannung | 3V | |
| Automobilstandard | AEC-Q100 | |
| Versorgungsstrom | 170mA | |
| Maximale Versorgungsspannung | 3.6V | |
| Alle auswählen | ||
|---|---|---|
Marke Intelligent Memory | ||
Speicher Größe 512MB | ||
Produkt Typ SDRAM | ||
Organisation 32M x 16 | ||
Datenbus-Breite 16bit | ||
Anzahl der Bits pro Wort 72 | ||
Taktfrequenz max. 166MHz | ||
Zugriffszeit max. 7.5ns | ||
Anzahl der Wörter 16777216 Words | ||
Montageart Oberfläche | ||
Gehäusegröße FBGA | ||
Betriebstemperatur min. -40°C | ||
Pinanzahl 54 | ||
Maximale Betriebstemperatur 85°C | ||
Normen/Zulassungen JEDEC | ||
Serie IME51(08/16)SDBET | ||
Minimale Versorgungsspannung 3V | ||
Automobilstandard AEC-Q100 | ||
Versorgungsstrom 170mA | ||
Maximale Versorgungsspannung 3.6V | ||
- Ursprungsland:
- TW
Der Intelligent Memory Vierbank-Synchron-DRAM ist als 4 Bänke x 16 Mbit x 8 (5108) oder 4 Bänke x 8 Mbit x 16 (5116) organisiert. Er erreicht Hochgeschwindigkeits-Datenübertragungsraten von bis zu 166 MHz durch den Einsatz einer Chip-Architektur, die mehrere Bits vorabruft und die Ausgangsdaten mit dem Systemtakt synchronisiert, was eine effiziente und zuverlässige Leistung gewährleistet.
Abschaltmodus
Automatische Aktualisierung und Selbstaktualisierung
Automatisches und gesteuertes Precharge-Kommando
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