ISSI SDRAM 2 GB SMD 16 Bits/Wort BGA 96-Pin

Der ISSI 2 Gb DDR3 SDRAM unterstützt Standardspannungen von VDD und VDDQ bei 1,5 V, ± 0,075 V und Niederspannungsbetrieb bei 1,35 V, +0,1 V, −067 V mit Abwärtskompatibilität bis 1,5 V. Er bietet eine Hochgeschwindigkeits-Datenübertragung mit Systemfrequenzen von bis zu 1066 MHz und verfügt über 8 interne Bänke für den gleichzeitigen Betrieb. Die Architektur basiert auf einem 8-n-Bit-Prefetch und umfasst programmierbare CAS-Latenz, additive Latenzoptionen von 0 CL-1 oder CL-2 und CAS-Schreiblatenz CWL auf Basis von tCK. Die Burst-Länge ist auf 4 oder 8 programmierbar mit wählbaren Burst-Sequenzmodi einschließlich sequenzieller und Interleave.

BL-Schalter im Griff