Alliance Memory SDRAM 8 MB SMD 32 Bits/Wort 32 bit 5.4 ns TFBGA 90-Pin
- RS Best.-Nr.:
- 842-640
- Herst. Teile-Nr.:
- AS4C2M32S-6BIN
- Marke:
- Alliance Memory
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- AS4C2M32S-6BIN
- Marke:
- Alliance Memory
Technische Daten
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Produktdetails
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Alle auswählen | Eigenschaft | Wert |
|---|---|---|
| Marke | Alliance Memory | |
| Produkt Typ | SDRAM | |
| Speicher Größe | 8MB | |
| Datenbus-Breite | 32bit | |
| Taktfrequenz max. | 166MHz | |
| Anzahl der Bits pro Wort | 32 | |
| Zugriffszeit max. | 5.4ns | |
| Montageart | SMD | |
| Gehäusegröße | TFBGA | |
| Pinanzahl | 90 | |
| Betriebstemperatur min. | -40°C | |
| Maximale Betriebstemperatur | 85°C | |
| Serie | AS4C2M32S | |
| Maximale Versorgungsspannung | 3.6V | |
| Minimale Versorgungsspannung | 3V | |
| Automobilstandard | Nein | |
| Alle auswählen | ||
|---|---|---|
Marke Alliance Memory | ||
Produkt Typ SDRAM | ||
Speicher Größe 8MB | ||
Datenbus-Breite 32bit | ||
Taktfrequenz max. 166MHz | ||
Anzahl der Bits pro Wort 32 | ||
Zugriffszeit max. 5.4ns | ||
Montageart SMD | ||
Gehäusegröße TFBGA | ||
Pinanzahl 90 | ||
Betriebstemperatur min. -40°C | ||
Maximale Betriebstemperatur 85°C | ||
Serie AS4C2M32S | ||
Maximale Versorgungsspannung 3.6V | ||
Minimale Versorgungsspannung 3V | ||
Automobilstandard Nein | ||
- Ursprungsland:
- TW
Der Hochgeschwindigkeits-CMOS-Synchron-DRAM von Alliance Memory bietet fortschrittliche Speicherlösungen mit einer Kapazität von 64 MB, die für eine effiziente Leistung in Computeranwendungen entwickelt wurden, die eine schnelle Datenverarbeitung erfordern.
Schnelle Zugriffszeit von 5,4 ns verbessert die Gesamtleistung des Systems
Arbeitet mit einer Taktrate von 166 MHz für verbesserten Datendurchsatz
Vollständig synchroner Betrieb gewährleistet Datenintegrität bei Hochgeschwindigkeitsbetrieb
Unterstützt programmierbare Lese- und Schreib-Burst Längen für flexible Datenverwaltung