Alliance Memory SDRAM 8 MB 4M x 16 bit SMD 16 Bits/Wort 16 bit 5.4 ns TSOP II 54-Pin
- RS Best.-Nr.:
- 842-641
- Herst. Teile-Nr.:
- AS4C4M16SA-6TCN
- Marke:
- Alliance Memory
Abbildung stellvertretend für Produktreihe
Mengenrabatt verfügbar
Mengenpreis-Optionen anzeigenZwischensumme (1 Stück)*
CHF 6.02
Auf Lager
- Zusätzlich 98 Einheit(en) mit Versand ab 28. September 2026
Sie benötigen mehr? Benötigte Menge eingeben und auf „Lieferverfügbarkeit überprüfen“ klicken.
Stück | Pro Stück |
|---|---|
| 1 - 9 | CHF 6.02 |
| 10 - 24 | CHF 5.62 |
| 25 - 49 | CHF 5.43 |
| 50 - 107 | CHF 5.19 |
| 108 + | CHF 5.05 |
*Richtpreis
- RS Best.-Nr.:
- 842-641
- Herst. Teile-Nr.:
- AS4C4M16SA-6TCN
- Marke:
- Alliance Memory
Technische Daten
Mehr Infos und technische Dokumente
Rechtliche Anforderungen
Produktdetails
Finden Sie ähnliche Produkte, indem Sie ein oder mehrere Eigenschaften auswählen.
Alle auswählen | Eigenschaft | Wert |
|---|---|---|
| Marke | Alliance Memory | |
| Speicher Größe | 8MB | |
| Produkt Typ | SDRAM | |
| Organisation | 4M x 16 bit | |
| Datenbus-Breite | 16bit | |
| Anzahl der Bits pro Wort | 16 | |
| Taktfrequenz max. | 166MHz | |
| Zugriffszeit max. | 5.4ns | |
| Anzahl der Wörter | 1M word | |
| Montageart | SMD | |
| Gehäusegröße | TSOP II | |
| Betriebstemperatur min. | 0°C | |
| Pinanzahl | 54 | |
| Maximale Betriebstemperatur | 70°C | |
| Normen/Zulassungen | RoHS | |
| Serie | AS4C4M16SA | |
| Automobilstandard | Nein | |
| Maximale Versorgungsspannung | 3.6V | |
| Minimale Versorgungsspannung | 3V | |
| Alle auswählen | ||
|---|---|---|
Marke Alliance Memory | ||
Speicher Größe 8MB | ||
Produkt Typ SDRAM | ||
Organisation 4M x 16 bit | ||
Datenbus-Breite 16bit | ||
Anzahl der Bits pro Wort 16 | ||
Taktfrequenz max. 166MHz | ||
Zugriffszeit max. 5.4ns | ||
Anzahl der Wörter 1M word | ||
Montageart SMD | ||
Gehäusegröße TSOP II | ||
Betriebstemperatur min. 0°C | ||
Pinanzahl 54 | ||
Maximale Betriebstemperatur 70°C | ||
Normen/Zulassungen RoHS | ||
Serie AS4C4M16SA | ||
Automobilstandard Nein | ||
Maximale Versorgungsspannung 3.6V | ||
Minimale Versorgungsspannung 3V | ||
- Ursprungsland:
- TW
Der Hochgeschwindigkeits-CMOS-Synchron-DRAM von Alliance Memory eignet sich für anspruchsvolle Anwendungen. Dieses Produkt dient als effiziente Speicherlösung, die für erweiterte Leistung in Computerumgebungen entwickelt wurde, die eine schnelle Datenverarbeitung erfordern.
Schnelle Zugriffszeit von 5,4 ns sorgt für rechtzeitigen Datenerfassung
Arbeitet mit Taktfrequen von 166 MHz zur Verbesserung der Leistung
Vollständig synchroner Betrieb mit Pipeline-Architektur
Unterstützt einen Betriebstemperaturbereich von -40 bis 85 °C für Vielseitigkeit
