Infineon SDRAM 64MBit DDR 400Mbit/s 24-Kugel FBGA 24-Pin
- RS Best.-Nr.:
- 273-7512
- Herst. Teile-Nr.:
- S27KL0642DPBHI020
- Marke:
- Infineon
Mengenrabatt verfügbar
Zwischensumme (1 Schale mit 338 Stück)*
CHF.915.642
Auf Lager
- 338 Einheit(en) versandfertig von einem anderen Standort
Sie benötigen mehr? Benötigte Menge eingeben und auf „Lieferverfügbarkeit überprüfen“ klicken.
Stück | Pro Stück | Pro Schale* |
|---|---|---|
| 338 - 676 | CHF.2.709 | CHF.916.00 |
| 1014 + | CHF.2.573 | CHF.870.57 |
*Richtpreis
- RS Best.-Nr.:
- 273-7512
- Herst. Teile-Nr.:
- S27KL0642DPBHI020
- Marke:
- Infineon
Technische Daten
Mehr Infos und technische Dokumente
Rechtliche Anforderungen
Produktdetails
Finden Sie ähnliche Produkte, indem Sie ein oder mehrere Eigenschaften auswählen.
Alle auswählen | Eigenschaft | Wert |
|---|---|---|
| Marke | Infineon | |
| Speicher Größe | 64MBit | |
| SDRAM-Klasse | DDR | |
| Datenumfang | 400Mbit/s | |
| Datenbus-Breite | 8bit | |
| Gehäusegröße | 24-Kugel FBGA | |
| Pinanzahl | 24 | |
| Alle auswählen | ||
|---|---|---|
Marke Infineon | ||
Speicher Größe 64MBit | ||
SDRAM-Klasse DDR | ||
Datenumfang 400Mbit/s | ||
Datenbus-Breite 8bit | ||
Gehäusegröße 24-Kugel FBGA | ||
Pinanzahl 24 | ||
Infineons DRAM ist ein selbstauffrischender Hochgeschwindigkeits-CMOS-DRAM mit HYPERBUS-Schnittstelle. Das DRAM-Array verwendet dynamische Zellen, die in regelmäßigen Abständen aktualisiert werden müssen. Die Auffrischungssteuerungslogik innerhalb des Bausteins verwaltet die Auffrischungsvorgänge auf dem DRAM-Array, wenn der Speicher nicht aktiv vom HYPERBUS-Schnittstellenmaster gelesen oder beschrieben wird. Da der Host keine Auffrischungsvorgänge durchführen muss, erscheint das DRAM-Array für den Host so, als ob der Speicher statische Zellen verwendet, die Daten ohne Auffrischung speichern. Daher wird der Speicher genauer als Pseudo Static RAM bezeichnet.
200 MHz maximale Taktrate
Datendurchsatz bis zu 400 MBps
Bidirektionales Lese-Schreib-Daten-Strobe
Automotive AEC Q100 Grade 2 und 3
Optionales DDR Center Aligned Read Strobe
DDR überträgt Daten auf beiden Flanken des Taktes
Datendurchsatz bis zu 400 MBps
Bidirektionales Lese-Schreib-Daten-Strobe
Automotive AEC Q100 Grade 2 und 3
Optionales DDR Center Aligned Read Strobe
DDR überträgt Daten auf beiden Flanken des Taktes
Verwandte Links
- Infineon SDRAM 64MBit DDR 400Mbit/s 24-Kugel FBGA 24-Pin
- Infineon SDRAM DDR-Speicher 64MBit 8 M x 8 DDR 200MHz 8bit Bits/Wort 35ns FBGA 24-Pin, 1,7 V bis 2 V
- Alliance Memory SDRAM 64MBit 4 M x 16 DDR 200MHz 16bit Bits/Wort 5.4ns FBGA 54-Pin, 3 V bis 3,6 V
- Intelligent Memory SDRAM 64MBit 2M x 32 SDR 166MHz 6ns FBGA 90-Pin
- Intelligent Memory SDRAM 64MBit 4 M x 16 SDR 166MHz 5ns FBGA 54-Pin
- Intelligent Memory SDRAM 64MBit 4 M x 16 SDR 166MHz 6ns FBGA 54-Pin
- Alliance Memory SDRAM 16Gbit 1G x 8 DDR4 1600MHz 96-Kugel-FBGA
- Alliance Memory SDRAM 8Gbit 1G x 8 DDR4 1330MHz 78-Kugel-FBGA
