Infineon SDRAM 64 MB Oberfläche 16 Bits/Wort 8 bit FBGA-24 Kugel 24-Pin

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RS Best.-Nr.:
273-7512
Herst. Teile-Nr.:
S27KL0642DPBHI020
Marke:
Infineon
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Marke

Infineon

Produkt Typ

SDRAM

Speicher Größe

64MB

Datenbus-Breite

8bit

Taktfrequenz max.

200MHz

Anzahl der Bits pro Wort

16

Montageart

Oberfläche

Gehäusegröße

FBGA-24 Kugel

Pinanzahl

24

Betriebstemperatur min.

-40°C

Maximale Betriebstemperatur

105°C

Normen/Zulassungen

No

Höhe

1mm

Länge

6mm

Breite

8 mm

Serie

S27K

Automobilstandard

AEC-Q100 Klasse 2 und 3

Minimale Versorgungsspannung

1.8V

Versorgungsstrom

360μA

Maximale Versorgungsspannung

3.6V

Infineons DRAM ist ein selbstauffrischender Hochgeschwindigkeits-CMOS-DRAM mit HYPERBUS-Schnittstelle. Das DRAM-Array verwendet dynamische Zellen, die in regelmäßigen Abständen aktualisiert werden müssen. Die Auffrischungssteuerungslogik innerhalb des Bausteins verwaltet die Auffrischungsvorgänge auf dem DRAM-Array, wenn der Speicher nicht aktiv vom HYPERBUS-Schnittstellenmaster gelesen oder beschrieben wird. Da der Host keine Auffrischungsvorgänge durchführen muss, erscheint das DRAM-Array für den Host so, als ob der Speicher statische Zellen verwendet, die Daten ohne Auffrischung speichern. Daher wird der Speicher genauer als Pseudo Static RAM bezeichnet.

200 MHz maximale Taktrate

Datendurchsatz bis zu 400 MBps

Bidirektionales Lese-Schreib-Daten-Strobe

Automotive AEC Q100 Grade 2 und 3

Optionales DDR Center Aligned Read Strobe

DDR überträgt Daten auf beiden Flanken des Taktes

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