ISSI SDRAM 256MBit 16 M x 16 143MHz 16bit Bits/Wort 5.4ns TSOP 54-Pin, 3 V bis 3,6 V

RS Best.-Nr.:: 811-5119P
Herst. Teile-Nr.:: IS42S16160G-7TL
Marke:: ISSI

ISSI SDRAM 256MBit 16 M x 16 143MHz 16bit Bits/Wort 5.4ns TSOP 54-Pin, 3 V bis 3,6 V

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IS42S83200G, IS42S16160G Synchronous DRAM

Rechtliche Anforderungen

Produktdetails

Dynamischer RAM, ISSI

ISSISDR SDRAM Serie bietet synchrone Schnittstelle mit programmierbarer CAS-Latenz (2/3 Uhren). Die Datenübertragung mit hoher Geschwindigkeit wird durch Anwendung des Pipeline-Prozesses sichergestellt, und die synchrone DRAM SDR Serien bieten Burst Lesen/Schreiben und Burst Lesen- /einfach Schreiben, womit sie sich ideal zum Einsatz in Computeranwendungen eignen. ISSI's SDR SDRAM-Geräte gibt es in einer Reihe von verschiedenen Organisationen und Speichergrößen, betrieben mit einem 3,3-Volt-Netzteil.

LVTTL-Schnittstelle
Eingangs-/Ausgangssignale beziehen sich auf die ansteigende Flanke des Takteingangs
Programmierbare Burst Reihenfolge: Sequenzielles/Interleave; programmierbar Burstlänge
Zufällige Spaltenadresse für jeden Zyklus
Selbst-Refresh und Auto Refresh Modus

Technische Daten

Eigenschaft	Wert
Speicher Größe	256MBit
Organisation	16 M x 16
Datenumfang	143MHz
Datenbus-Breite	16bit
Adressbusbreite	15bit
Anzahl der Bits pro Wort	16bit
Zugriffszeit max.	5.4ns
Anzahl der Wörter	16M
Montage-Typ	SMD
Gehäusegröße	TSOP
Pinanzahl	54
Abmessungen	22.42 x 10.29 x 1.05mm
Höhe	1.05mm
Länge	22.42mm
Betriebstemperatur max.	+70 °C
Arbeitsspannnung max.	3,6 V
Betriebstemperatur min.	0 °C
Breite	10.29mm
Arbeitsspannnung min.	3 V

RS Best.-Nr.:: 811-5119P
Herst. Teile-Nr.:: IS42S16160G-7TL
Marke:: ISSI

IS42S83200G, IS42S16160G Synchronous DRAM