Renesas Electronics 4MBit LowPower SRAM 256K, 16bit / Wort 18bit, TSOP 44-Pin
- RS Best.-Nr.:
- 126-6979P
- Herst. Teile-Nr.:
- RMLV0416EGSB-4S2#AA1
- Marke:
- Renesas Electronics
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CHF.44.415
Bestandsabfrage aktuell nicht möglich
Stück | Pro Stück |
|---|---|
| 5 - 9 | CHF.8.88 |
| 10 - 49 | CHF.8.65 |
| 50 - 99 | CHF.8.43 |
| 100 + | CHF.8.22 |
*Richtpreis
- RS Best.-Nr.:
- 126-6979P
- Herst. Teile-Nr.:
- RMLV0416EGSB-4S2#AA1
- Marke:
- Renesas Electronics
Technische Daten
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Rechtliche Anforderungen
Produktdetails
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Alle auswählen | Eigenschaft | Wert |
|---|---|---|
| Marke | Renesas Electronics | |
| Speicher Größe | 4MBit | |
| Organisation | 256K Wörter x 16 bit | |
| Anzahl der Wörter | 256K | |
| Anzahl der Bits pro Wort | 16bit | |
| Zugriffszeit max. | 45ns | |
| Adressbusbreite | 18bit | |
| Low Power | Ja | |
| Montage-Typ | SMD | |
| Gehäusegröße | TSOP | |
| Pinanzahl | 44 | |
| Abmessungen | 18.54 x 10.29 x 1.05mm | |
| Arbeitsspannnung max. | 3,6 V | |
| Höhe | 1.05mm | |
| Breite | 10.29mm | |
| Länge | 18.54mm | |
| Betriebstemperatur min. | –40 °C | |
| Arbeitsspannnung min. | 2,7 V | |
| Betriebstemperatur max. | +85 °C | |
| Alle auswählen | ||
|---|---|---|
Marke Renesas Electronics | ||
Speicher Größe 4MBit | ||
Organisation 256K Wörter x 16 bit | ||
Anzahl der Wörter 256K | ||
Anzahl der Bits pro Wort 16bit | ||
Zugriffszeit max. 45ns | ||
Adressbusbreite 18bit | ||
Low Power Ja | ||
Montage-Typ SMD | ||
Gehäusegröße TSOP | ||
Pinanzahl 44 | ||
Abmessungen 18.54 x 10.29 x 1.05mm | ||
Arbeitsspannnung max. 3,6 V | ||
Höhe 1.05mm | ||
Breite 10.29mm | ||
Länge 18.54mm | ||
Betriebstemperatur min. –40 °C | ||
Arbeitsspannnung min. 2,7 V | ||
Betriebstemperatur max. +85 °C | ||
Energiesparversion-SRAM, Serie RMLV, Renesas Electronics
Die Serie RMLV von erweiterten Hochleistungs-SRAM-Speichern bietet höhere Dichte, niedrigen Stromverbrauch und Standby-Verlustleistung mit geringem Verbrauch.
Einfaches 2,7 bis 3,6 V Netzteil
Zugriffszeit: 45 ns (max.)
Gleiche Zugriffs- und Zykluszeiten
Gemeinsamer Dateneingang und -ausgang mit Drei-Punkt-Ausgang
Alle Eingänge und Ausgänge sind TTL-kompatibel
Geeignet für Batteriepufferungsbetrieb
Zugriffszeit: 45 ns (max.)
Gleiche Zugriffs- und Zykluszeiten
Gemeinsamer Dateneingang und -ausgang mit Drei-Punkt-Ausgang
Alle Eingänge und Ausgänge sind TTL-kompatibel
Geeignet für Batteriepufferungsbetrieb
SRAM (Static Random Access Memory)