Alliance Memory 64 kB SRAM-Speicher 8K, 8 / Wort 13 bit, PDIP 28-Pin
- RS Best.-Nr.:
- 177-5513
- Herst. Teile-Nr.:
- AS6C6264-55PCN
- Marke:
- Alliance Memory
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- RS Best.-Nr.:
- 177-5513
- Herst. Teile-Nr.:
- AS6C6264-55PCN
- Marke:
- Alliance Memory
Technische Daten
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Produktdetails
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Alle auswählen | Eigenschaft | Wert |
|---|---|---|
| Marke | Alliance Memory | |
| Produkt Typ | SRAM-Speicher | |
| Speicher Größe | 64kB | |
| Anzahl der Wörter | 8K | |
| Anzahl der Bits pro Wort | 8 | |
| Zugriffszeit max. | 55ns | |
| Adressbusbreite | 13bit | |
| Timing Typ | Asynchron | |
| Minimale Versorgungsspannung | 2.7V | |
| Maximale Versorgungsspannung | 5.5V | |
| Montageart | Durchsteckmontage | |
| Gehäusegröße | PDIP | |
| Betriebstemperatur min. | 0°C | |
| Pinanzahl | 28 | |
| Maximale Betriebstemperatur | 70°C | |
| Länge | 36.32mm | |
| Höhe | 3.81mm | |
| Normen/Zulassungen | No | |
| Serie | AS6C6264 | |
| Automobilstandard | Nein | |
| Versorgungsstrom | 15mA | |
| Alle auswählen | ||
|---|---|---|
Marke Alliance Memory | ||
Produkt Typ SRAM-Speicher | ||
Speicher Größe 64kB | ||
Anzahl der Wörter 8K | ||
Anzahl der Bits pro Wort 8 | ||
Zugriffszeit max. 55ns | ||
Adressbusbreite 13bit | ||
Timing Typ Asynchron | ||
Minimale Versorgungsspannung 2.7V | ||
Maximale Versorgungsspannung 5.5V | ||
Montageart Durchsteckmontage | ||
Gehäusegröße PDIP | ||
Betriebstemperatur min. 0°C | ||
Pinanzahl 28 | ||
Maximale Betriebstemperatur 70°C | ||
Länge 36.32mm | ||
Höhe 3.81mm | ||
Normen/Zulassungen No | ||
Serie AS6C6264 | ||
Automobilstandard Nein | ||
Versorgungsstrom 15mA | ||
- Ursprungsland:
- TW
Statischer RAM Alliance Memory
Der AS6C1008 ist gut für Systemanwendungen mit sehr niedrigem Stromverbrauch ausgelegt und besonders gut für die Batterie-pufferung von nicht flüchtigen Speicheranwendungen geeignet. Der AS6C62256 ist ein statischer 262.144-Bit-CMOS-Random Access Memory mit geringer Leistungsaufnahme, der als 32.768 Wörter und 8 Bit organisiert ist. Der AS6C62256 arbeitet mit einem Netzteil mit großem Bereich von 2,7 ∼ 5,5 V. Gehäuse: 28-polig 600 mil PDIP
SRAM (Static Random Access Memory)
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