Infineon 1MBit LowPower SRAM-Speicherbaustein 128k 104MHz, 8bit / Wort, 2,4 V bis 2,6 V, SOIC 16-Pin
- RS Best.-Nr.:
- 181-8377P
- Herst. Teile-Nr.:
- CY14B101PA-SFXI
- Marke:
- Infineon
603 lieferbar innerhalb von 6-8 Werktagen.
Preis pro Stück (in Stange(n))
CHF.11.939
Stück | Pro Stück |
10 - 24 | CHF.11.939 |
25 - 49 | CHF.11.655 |
50 - 99 | CHF.11.351 |
100 + | CHF.11.057 |
- RS Best.-Nr.:
- 181-8377P
- Herst. Teile-Nr.:
- CY14B101PA-SFXI
- Marke:
- Infineon
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Rechtliche Anforderungen
Produktdetails
Der Cypress CY14X101PA kombiniert einen 1-Mbit-nv-SRAM[1] mit einer voll ausgestatteten RTC in einer monolithischen integrierten Schaltung mit serieller SPI-Schnittstelle. Der Speicher ist in 128 K Wörter mit jeweils 8 Bit organisiert. Die integrierten nicht flüchtigen Elemente enthalten die Quantum-Trap-Technologie und schaffen so den weltweit zuverlässigsten nichtflüchtigen Speicher. Das SRAM bietet unendliche Lese- und Schreibzyklen, während die Quantum-Trap-Zellen eine äußerst zuverlässige, nichtflüchtige Speicherung von Daten bieten. Die Datenübertragung vom SRAM zu den nichtflüchtigen Elementen (STORE-Betrieb) erfolgt automatisch beim Ausschalten. Beim Einschalten werden die Daten aus dem nichtflüchtigen Speicher (RECALL-Betrieb) im SRAM wiederhergestellt. Sie können die STORE- und RECALL-Vorgänge auch über SPI-Befehle initiieren.
Technische Daten
Eigenschaft | Wert |
---|---|
Speicher Größe | 1MBit |
Organisation | 128.000 x 8 Bit |
Anzahl der Wörter | 128k |
Anzahl der Bits pro Wort | 8bit |
Zugriffszeit max. | 15ns |
Taktfrequenz | 104MHz |
Low Power | Ja |
Timing Typ | Synchron |
Montage-Typ | SMD |
Gehäusegröße | SOIC |
Pinanzahl | 16 |
Abmessungen | 10.49 x 7.59 x 2.36mm |
Höhe | 2.36mm |
Arbeitsspannnung max. | 2,6 V |
Betriebstemperatur max. | +85 °C |
Länge | 10.49mm |
Breite | 7.59mm |
Betriebstemperatur min. | –40 °C |
Arbeitsspannnung min. | 2,4 V |