Infineon 16 MB SRAM 1M 100 MHz, 16 / Wort 16 bit, TSOP 54-Pin
- RS Best.-Nr.:
- 193-8470P
- Herst. Teile-Nr.:
- CY7C10612G30-10ZSXI
- Marke:
- Infineon
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CHF.182.70
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Stück | Pro Stück |
|---|---|
| 10 - 24 | CHF.18.27 |
| 25 - 49 | CHF.18.09 |
| 50 - 74 | CHF.17.65 |
| 75 + | CHF.17.27 |
*Richtpreis
- RS Best.-Nr.:
- 193-8470P
- Herst. Teile-Nr.:
- CY7C10612G30-10ZSXI
- Marke:
- Infineon
Technische Daten
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Rechtliche Anforderungen
Produktdetails
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Alle auswählen | Eigenschaft | Wert |
|---|---|---|
| Marke | Infineon | |
| Produkt Typ | SRAM | |
| Speicher Größe | 16MB | |
| Organisation | 1M x 16 Bit | |
| Anzahl der Wörter | 1M | |
| Anzahl der Bits pro Wort | 16 | |
| Zugriffszeit max. | 10ns | |
| Adressbusbreite | 16bit | |
| Taktfrequenz max. | 100MHz | |
| Timing Typ | Asynchron | |
| Minimale Versorgungsspannung | 3V | |
| Maximale Versorgungsspannung | 3.6V | |
| Montageart | Oberfläche | |
| Betriebstemperatur min. | -40°C | |
| Gehäusegröße | TSOP | |
| Maximale Betriebstemperatur | 85°C | |
| Pinanzahl | 54 | |
| Breite | 10.06 mm | |
| Serie | CY7C10612G | |
| Normen/Zulassungen | No | |
| Länge | 22.31mm | |
| Höhe | 0.95mm | |
| Automobilstandard | Nein | |
| Versorgungsstrom | 110mA | |
| Alle auswählen | ||
|---|---|---|
Marke Infineon | ||
Produkt Typ SRAM | ||
Speicher Größe 16MB | ||
Organisation 1M x 16 Bit | ||
Anzahl der Wörter 1M | ||
Anzahl der Bits pro Wort 16 | ||
Zugriffszeit max. 10ns | ||
Adressbusbreite 16bit | ||
Taktfrequenz max. 100MHz | ||
Timing Typ Asynchron | ||
Minimale Versorgungsspannung 3V | ||
Maximale Versorgungsspannung 3.6V | ||
Montageart Oberfläche | ||
Betriebstemperatur min. -40°C | ||
Gehäusegröße TSOP | ||
Maximale Betriebstemperatur 85°C | ||
Pinanzahl 54 | ||
Breite 10.06 mm | ||
Serie CY7C10612G | ||
Normen/Zulassungen No | ||
Länge 22.31mm | ||
Höhe 0.95mm | ||
Automobilstandard Nein | ||
Versorgungsstrom 110mA | ||
Hohe Geschwindigkeit
tAA = 10 ns
Integrierter Fehlerkorrekturcode (ECC) für Einzelbit-Fehlerkorrektur
Niedrige Wirkleistung
ICC = 90 mA typisch
Geringe CMOS-Standby-Leistung
ISB2 = 20 mA (typisch)
Betriebsspannungen von 3,3 ± 0,3 V
1,0 V Datenspeicherung
Kompatible Ein- und Ausgänge zur Transistor-Transistor-Logik (TTL)
ERR-Stift zur Anzeige der 1-Bit-Fehlererkennung und -korrektur
Erhältlich in Pb-freiem 54-poligem TSOP II-Gehäuse
