Alliance Memory 2 MB SRAM 128k, 16 / Wort 16 bit, TSOP-44 44-Pin
- RS Best.-Nr.:
- 230-8450
- Herst. Teile-Nr.:
- AS6C2016-55ZIN
- Marke:
- Alliance Memory
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|---|---|---|
| 2 - 8 | CHF.3.791 | CHF.7.58 |
| 10 - 18 | CHF.3.455 | CHF.6.91 |
| 20 - 48 | CHF.3.381 | CHF.6.76 |
| 50 - 98 | CHF.3.36 | CHF.6.72 |
| 100 + | CHF.3.024 | CHF.6.05 |
*Richtpreis
- RS Best.-Nr.:
- 230-8450
- Herst. Teile-Nr.:
- AS6C2016-55ZIN
- Marke:
- Alliance Memory
Technische Daten
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Produktdetails
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Alle auswählen | Eigenschaft | Wert |
|---|---|---|
| Marke | Alliance Memory | |
| Speicher Größe | 2MB | |
| Produkt Typ | SRAM | |
| Organisation | 128k x 16 Bit | |
| Anzahl der Wörter | 128k | |
| Anzahl der Bits pro Wort | 16 | |
| Zugriffszeit max. | 55ns | |
| Adressbusbreite | 16bit | |
| Minimale Versorgungsspannung | 2.7V | |
| Timing Typ | Asynchron | |
| Montageart | Oberfläche | |
| Maximale Versorgungsspannung | 5.5V | |
| Gehäusegröße | TSOP-44 | |
| Betriebstemperatur min. | -40°C | |
| Pinanzahl | 44 | |
| Maximale Betriebstemperatur | 85°C | |
| Serie | AS6C2016 | |
| Länge | 18.6mm | |
| Normen/Zulassungen | No | |
| Breite | 10.36 mm | |
| Höhe | 1.05mm | |
| Automobilstandard | Nein | |
| Versorgungsstrom | 20mA | |
| Alle auswählen | ||
|---|---|---|
Marke Alliance Memory | ||
Speicher Größe 2MB | ||
Produkt Typ SRAM | ||
Organisation 128k x 16 Bit | ||
Anzahl der Wörter 128k | ||
Anzahl der Bits pro Wort 16 | ||
Zugriffszeit max. 55ns | ||
Adressbusbreite 16bit | ||
Minimale Versorgungsspannung 2.7V | ||
Timing Typ Asynchron | ||
Montageart Oberfläche | ||
Maximale Versorgungsspannung 5.5V | ||
Gehäusegröße TSOP-44 | ||
Betriebstemperatur min. -40°C | ||
Pinanzahl 44 | ||
Maximale Betriebstemperatur 85°C | ||
Serie AS6C2016 | ||
Länge 18.6mm | ||
Normen/Zulassungen No | ||
Breite 10.36 mm | ||
Höhe 1.05mm | ||
Automobilstandard Nein | ||
Versorgungsstrom 20mA | ||
Der Alliance Memory AS6C2016 ist ein statischer 2,097,152-Bit-CMOS-Speicher mit geringem Stromverbrauch und wahlfreiem Zugriff, der als 131072 Wörter mit 16 Bit organisiert ist. Es wird mit sehr hoher Leistung und hoher Zuverlässigkeit CMOS-Technologie hergestellt. Sein Standby-Strom ist im Bereich der Betriebstemperatur stabil.
Vollständig statischer Betrieb
Tri-State-Ausgang
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