Renesas Electronics 16 bit SRAM, 16 / Wort
- RS Best.-Nr.:
- 249-4383P
- Herst. Teile-Nr.:
- 71V124SA15TYG8
- Marke:
- Renesas Electronics
Abbildung stellvertretend für Produktreihe
Derzeit nicht erhältlich
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- RS Best.-Nr.:
- 249-4383P
- Herst. Teile-Nr.:
- 71V124SA15TYG8
- Marke:
- Renesas Electronics
Technische Daten
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Rechtliche Anforderungen
Produktdetails
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Alle auswählen | Eigenschaft | Wert |
|---|---|---|
| Marke | Renesas Electronics | |
| Speicher Größe | 16bit | |
| Produkt Typ | SRAM | |
| Anzahl der Bits pro Wort | 16 | |
| Zugriffszeit max. | 3.5μs | |
| Betriebstemperatur min. | -40°C | |
| Maximale Betriebstemperatur | 85°C | |
| Normen/Zulassungen | No | |
| Automobilstandard | Nein | |
| Alle auswählen | ||
|---|---|---|
Marke Renesas Electronics | ||
Speicher Größe 16bit | ||
Produkt Typ SRAM | ||
Anzahl der Bits pro Wort 16 | ||
Zugriffszeit max. 3.5μs | ||
Betriebstemperatur min. -40°C | ||
Maximale Betriebstemperatur 85°C | ||
Normen/Zulassungen No | ||
Automobilstandard Nein | ||
Der 71V124 3,3 V CMOS SRAM von Renesas Electronics ist als 128K x 8 organisiert. Das JEDEC Center Power/GND Pinout reduziert die Rauschentwicklung und verbessert die Systemleistung. Alle bidirektionalen Ein- und Ausgänge des 71V124 sind LVTTL-kompatibel und werden mit einer einzigen 3,3-V-Versorgung betrieben. Es wird eine vollständig statische asynchrone Schaltung verwendet, und für den Betrieb sind keine Taktsignale oder Auffrischungen erforderlich.
JEDEC-revolutionäres Pinout (Center Power/GND) für reduziertes Rauschen
Einzelne 3,3-V-Versorgung
Geringer Stromverbrauch durch Chip-Deselect
Erhältlich in 32-poligen 300- und 400-Mil-Plastik-SOJ- und 32-poligen Typ II TSOP-Gehäusen.