Renesas Electronics 4MBit LowPower SRAM 512k, 8bit / Wort, 3 V bis 3,6 V, TSOP-44 44-Pin

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Herst. Teile-Nr.:
71V424S10PHG
Marke:
Renesas Electronics
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Marke

Renesas Electronics

Speicher Größe

4MBit

Organisation

512 k x 8 Bit

Anzahl der Wörter

512k

Anzahl der Bits pro Wort

8bit

Zugriffszeit max.

10ns

Low Power

Ja

Timing Typ

Asymmetrisch

Montage-Typ

SMD

Gehäusegröße

TSOP-44

Pinanzahl

44

Abmessungen

18.41 x 10.16 x 1mm

Höhe

1mm

Arbeitsspannnung max.

3,6 V

Betriebstemperatur min.

–0 °C

Arbeitsspannnung min.

3 V

Betriebstemperatur max.

+70 °C

Länge

18.41mm

Breite

10.16mm

Der statische RAM von Renesas Electronics besteht aus einem 4.194.304-Bit-Hochgeschwindigkeits-Static-RAM, das als 512K x 8 organisiert ist und in hochleistungsfähiger und zuverlässiger CMOS-Technologie hergestellt wird. Diese hochmoderne Technologie bietet in Verbindung mit innovativen Schaltungsentwurfstechniken eine kosteneffiziente Lösung für Hochgeschwindigkeitsspeicheranforderungen.

Er verfügt über einen Ausgangsfreigabe-Pin, der bis zu 5ns schnell arbeitet, mit Adresszugriffszeiten von bis zu 10 ns
Alle bidirektionalen Ein- und Ausgänge des IDT71V424 sind TTL-kompatibel
Es wird ein vollständig statischer, asynchroner Schaltkreis verwendet, der keine Takte oder Refreshs für den Betrieb benötigt
Er verfügt über ein JEDEC Centre Power/GND-Pinout für reduziertes Rauschen
Bietet einen niedrigen Stromverbrauch durch Chip-Deselect
Der industrielle Temperaturbereich von -40 °C bis +85 °C ist für ausgewählte Geschwindigkeiten verfügbar

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