Renesas Electronics 16kB SRAM
- RS Best.-Nr.:
- 262-8968
- Herst. Teile-Nr.:
- 6116LA25SOGI
- Marke:
- Renesas Electronics
Zwischensumme (1 Stange mit 310 Stück)*
CHF.1’542.87
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Stück | Pro Stück | Pro Stange* |
|---|---|---|
| 310 + | CHF.4.977 | CHF.1’542.87 |
*Richtpreis
- RS Best.-Nr.:
- 262-8968
- Herst. Teile-Nr.:
- 6116LA25SOGI
- Marke:
- Renesas Electronics
Technische Daten
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Rechtliche Anforderungen
Produktdetails
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Alle auswählen | Eigenschaft | Wert |
|---|---|---|
| Marke | Renesas Electronics | |
| Speicher Größe | 16kB | |
| Organisation | 2 K x 8 | |
| Zugriffszeit max. | 25ns | |
| Alle auswählen | ||
|---|---|---|
Marke Renesas Electronics | ||
Speicher Größe 16kB | ||
Organisation 2 K x 8 | ||
Zugriffszeit max. 25ns | ||
- Ursprungsland:
- TW
Der CMOS-SRAM von Renesas Electronics ist als 2K x 8 organisiert. Der SRAM bietet einen stromsparenden Standby-Modus. Die Energiesparversion (LA) bietet außerdem eine Batterie-Backup-Datenspeicherung, bei der der Stromkreis in der Regel nur 1 μW bis 4 μW verbraucht, wenn er mit einer 2-V-Batterie betrieben wird. Alle Eingänge und Ausgänge sind TTL-kompatibel. Es werden vollständig statische asynchrone Schaltkreise verwendet, die keine Uhren oder Erneuerung für den Betrieb erfordern. Produkt in Militärqualität erhältlich.
Niedriger Energieverbrauch
Batterie-Backup-Betrieb 2 V Datenspeicherungsspannung
Hergestellt mit fortschrittlicher CMOS-Hochleistungstechnologie
CMOS-Verfahren beseitigt praktisch Alpha-Partikel-Soft-Fehlerraten
Eingang und Ausgang direkt TTL-kompatibel
Keine Uhren oder Aktualisierung erforderlich
Batterie-Backup-Betrieb 2 V Datenspeicherungsspannung
Hergestellt mit fortschrittlicher CMOS-Hochleistungstechnologie
CMOS-Verfahren beseitigt praktisch Alpha-Partikel-Soft-Fehlerraten
Eingang und Ausgang direkt TTL-kompatibel
Keine Uhren oder Aktualisierung erforderlich
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