Renesas Electronics 1 MB SRAM 64K, 16 / Wort 44-Pin

Mengenrabatt verfügbar

Zwischensumme 10 Stück (geliefert in Schale)*

CHF.30.24

Add to Basket
Menge auswählen oder eingeben
Auf Lager
  • 114 Einheit(en) versandfertig von einem anderen Standort
Sie benötigen mehr? Benötigte Menge eingeben und auf „Lieferverfügbarkeit überprüfen“ klicken.
Stück
Pro Stück
10 - 18CHF.3.024
20 - 48CHF.2.951
50 - 98CHF.2.94
100 +CHF.2.625

*Richtpreis

Verpackungsoptionen:
RS Best.-Nr.:
263-7904P
Herst. Teile-Nr.:
71016S15PHG
Marke:
Renesas Electronics
Finden Sie ähnliche Produkte, indem Sie ein oder mehrere Eigenschaften auswählen.
Alle auswählen

Marke

Renesas Electronics

Produkt Typ

SRAM

Speicher Größe

1MB

Organisation

64k x 16

Anzahl der Wörter

64K

Anzahl der Bits pro Wort

16

Zugriffszeit max.

15ns

Timing Typ

Asynchron

Minimale Versorgungsspannung

4.5V

Montageart

Oberfläche

Maximale Versorgungsspannung

5.5V

Betriebstemperatur min.

-40°C

Pinanzahl

44

Maximale Betriebstemperatur

85°C

Serie

IDT71016

Höhe

1mm

Länge

18.41mm

Normen/Zulassungen

No

Breite

10.16 mm

Versorgungsstrom

180mA

Automobilstandard

Nein

Ursprungsland:
TW
Der CMOS-Static-RAM 6 von Renesas Electronics ist ein Hochgeschwindigkeits-Static-RAM, der als 64 K x 16 organisiert ist. Es wird mit Hochleistungs- und hochzuverlässiger CMOS-Technologie gefertigt. Diese modernste Technologie in Kombination mit innovativen Schaltkreis-Designtechniken bietet eine kostengünstige Lösung für Hochgeschwindigkeits-Speicheranforderungen. Alle bidirektionalen Eingänge und Ausgänge des RAM sind TTL-kompatibel, und der Betrieb erfolgt über eine einzelne 5-V-Versorgung. Es werden vollständig statische asynchrone Schaltkreise verwendet, die keine Uhren oder Aktualisierungen für den Betrieb erfordern.

Ein Chip auswählen Plus ein Ausgang Aktivierungsstift

Bidirektionale Dateneingänge und -ausgänge direkt TTL-kompatibel

Geringer Stromverbrauch über Chip-Abwählen

Aktivierungsstifte für obere und untere Byte