1MB SRAM 256k, 16bit / Wort
- RS Best.-Nr.:
- 263-7917P
- Herst. Teile-Nr.:
- 71V416S12PHG
- Marke:
- Renesas Electronics
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- 71V416S12PHG
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Rechtliche Anforderungen
- Ursprungsland:
- TW
Produktdetails
Der CMOS-Static-RAM 6 von Renesas Electronics ist ein Hochgeschwindigkeits-Static-RAM, der als 64 K x 16 organisiert ist. Es wird mit Hochleistungs- und hochzuverlässiger CMOS-Technologie gefertigt. Diese modernste Technologie in Kombination mit innovativen Schaltkreis-Designtechniken bietet eine kostengünstige Lösung für Hochgeschwindigkeits-Speicheranforderungen. Alle bidirektionalen Eingänge und Ausgänge des RAM sind TTL-kompatibel, und der Betrieb erfolgt über eine einzelne 5-V-Versorgung. Es werden vollständig statische asynchrone Schaltkreise verwendet, die keine Uhren oder Aktualisierungen für den Betrieb erfordern.
Ein Chip-Auswahlstift plus ein Ausgangs-Aktivierungsstift
Bidirektionale Dateneingänge und -ausgänge direkt TTL-kompatibel
Niedriger Stromverbrauch über Chip-Abwählen
Aktivierungsstifte für obere und untere Byte
Bidirektionale Dateneingänge und -ausgänge direkt TTL-kompatibel
Niedriger Stromverbrauch über Chip-Abwählen
Aktivierungsstifte für obere und untere Byte
Technische Daten
Eigenschaft | Wert |
|---|---|
| Speicher Größe | 1MB |
| Organisation | 256 K x 16 |
| Anzahl der Wörter | 256k |
| Anzahl der Bits pro Wort | 16bit |
| Zugriffszeit max. | 12ns |
- RS Best.-Nr.:
- 263-7917P
- Herst. Teile-Nr.:
- 71V416S12PHG
- Marke:
- Renesas Electronics