Infineon 16 MB SRAM 1000000, 16 / Wort, TSOP I 48-Pin
- RS Best.-Nr.:
- 273-5284
- Herst. Teile-Nr.:
- CY62167EV30LL-45BVXI
- Marke:
- Infineon
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- Infineon
Technische Daten
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Produktdetails
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Alle auswählen | Eigenschaft | Wert |
|---|---|---|
| Marke | Infineon | |
| Produkt Typ | SRAM | |
| Speicher Größe | 16MB | |
| Anzahl der Wörter | 1000000 | |
| Anzahl der Bits pro Wort | 16 | |
| Zugriffszeit max. | 45ns | |
| Timing Typ | Asynchron | |
| Minimale Versorgungsspannung | 2.20V | |
| Maximale Versorgungsspannung | 3.60V | |
| Montageart | Oberfläche | |
| Betriebstemperatur min. | -40°C | |
| Gehäusegröße | TSOP I | |
| Pinanzahl | 48 | |
| Maximale Betriebstemperatur | 85°C | |
| Länge | 20mm | |
| Normen/Zulassungen | RoHS | |
| Breite | 1.05mm | |
| Serie | CY62167EV30 | |
| Höhe | 12mm | |
| Versorgungsstrom | 35mA | |
| Alle auswählen | ||
|---|---|---|
Marke Infineon | ||
Produkt Typ SRAM | ||
Speicher Größe 16MB | ||
Anzahl der Wörter 1000000 | ||
Anzahl der Bits pro Wort 16 | ||
Zugriffszeit max. 45ns | ||
Timing Typ Asynchron | ||
Minimale Versorgungsspannung 2.20V | ||
Maximale Versorgungsspannung 3.60V | ||
Montageart Oberfläche | ||
Betriebstemperatur min. -40°C | ||
Gehäusegröße TSOP I | ||
Pinanzahl 48 | ||
Maximale Betriebstemperatur 85°C | ||
Länge 20mm | ||
Normen/Zulassungen RoHS | ||
Breite 1.05mm | ||
Serie CY62167EV30 | ||
Höhe 12mm | ||
Versorgungsstrom 35mA | ||
SRAM der Serie CY62167EV30 von Infineon, 16 MB Speichergröße, Asynchron-Timing – CY62167EV30LL-45BVXI
Dieser SRAM bietet einen nichtflüchtigen, schnellen flüchtigen Speicher für Systeme, die einen schnellen Lese-/Schreibzugriff erfordern. Er arbeitet über einen Niederspannungsbereich, der für moderne digitale Schaltkreise geeignet ist, und ist für die Oberflächenmontage in kompakten Anwendungen konzipiert. Das Gerät ist für den Einsatz vorgesehen, bei dem ein schneller zufälliger Zugang und eine moderate Leistungsaufnahme innerhalb der industriellen Temperaturgrenzen erforderlich sind.
Merkmale und Vorteile:
• 45 ns Zugriffszeit ermöglicht Hochgeschwindigkeits-Datenabfrage und -schreibvorgänge
• 1Mx16-Organisation bietet eine große Worttiefe für die adressierbare Speicherung
• 16 Bit pro Wort unterstützen breite parallele Datenübertragungen
• 35 mA Versorgungsstrom sorgt für einen berechenbaren Stromverbrauch
• RoHS-Zulassung gewährleistet Materialkonformität für die Fertigung
• 1Mx16-Organisation bietet eine große Worttiefe für die adressierbare Speicherung
• 16 Bit pro Wort unterstützen breite parallele Datenübertragungen
• 35 mA Versorgungsstrom sorgt für einen berechenbaren Stromverbrauch
• RoHS-Zulassung gewährleistet Materialkonformität für die Fertigung
Anwendungsbereich
• Geeignet für die Pufferung bei der Hochgeschwindigkeits-Datenerfassung
• Ideal für Firmware-Shadowing in eingebetteten Controllern
• Einsatz mit speicherzuordnenden Peripheriegeräten in industriellen Systemen
• Kann zur Cachespeicherung in Kommunikationsgeräten verwendet werden
• Ideal für Firmware-Shadowing in eingebetteten Controllern
• Einsatz mit speicherzuordnenden Peripheriegeräten in industriellen Systemen
• Kann zur Cachespeicherung in Kommunikationsgeräten verwendet werden
Welchen Versorgungsspannungsbereich akzeptiert er?
Es nimmt mindestens 2,20 V und maximal 3,60 V auf.
Welches Gehäuse und welche Befestigungsart sind für die Leiterplattenmontage vorgesehen?
Er wird in einem TSOP I-Gehäuse mit oberflächenmontierter Konfiguration und 48 Pins geliefert.
Welchem Betriebstemperaturbereich kann er standhalten?
Er arbeitet bei Temperaturen von -40 °C bis 85 °C.
Wie wird die Speicherkapazität und die Organisation der Wörter beschrieben?
Es bietet eine Million Wörter in einer Anordnung von 1M x 16, was einem Gesamtspeicher von 16 MB entspricht.
Welche Spezifikationen für die physische Grundfläche sind für das Board-Layout definiert?
Die Bauteilabmessungen umfassen eine Breite von 1,05 mm, eine Höhe von 12 mm und eine Länge von 20 mm.
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