Infineon 16 MB SRAM 1000 k, 2000 k, 16 / Wort, TSOP I 48-Pin
- RS Best.-Nr.:
- 273-5284
- Herst. Teile-Nr.:
- CY62167EV30LL-45BVXI
- Marke:
- Infineon
Mengenrabatt verfügbar
Zwischensumme (1 Stück)*
CHF.11.292
Auf Lager
- Zusätzlich 69 Einheit(en) mit Versand ab 30. März 2026
Sie benötigen mehr? Benötigte Menge eingeben und auf „Lieferverfügbarkeit überprüfen“ klicken.
Stück | Pro Stück |
|---|---|
| 1 - 9 | CHF.11.29 |
| 10 - 24 | CHF.10.46 |
| 25 - 49 | CHF.9.87 |
| 50 + | CHF.9.63 |
*Richtpreis
- RS Best.-Nr.:
- 273-5284
- Herst. Teile-Nr.:
- CY62167EV30LL-45BVXI
- Marke:
- Infineon
Technische Daten
Mehr Infos und technische Dokumente
Rechtliche Anforderungen
Produktdetails
Finden Sie ähnliche Produkte, indem Sie ein oder mehrere Eigenschaften auswählen.
Alle auswählen | Eigenschaft | Wert |
|---|---|---|
| Marke | Infineon | |
| Produkt Typ | SRAM | |
| Speicher Größe | 16MB | |
| Anzahl der Wörter | 1000 k, 2000 k | |
| Anzahl der Bits pro Wort | 16 | |
| Zugriffszeit max. | 45ns | |
| Minimale Versorgungsspannung | 0.3V | |
| Montageart | Oberfläche | |
| Maximale Versorgungsspannung | 3.9V | |
| Gehäusegröße | TSOP I | |
| Betriebstemperatur min. | -40°C | |
| Maximale Betriebstemperatur | 85°C | |
| Pinanzahl | 48 | |
| Serie | CY62167EV30 | |
| Normen/Zulassungen | RoHS | |
| Höhe | 12mm | |
| Länge | 20mm | |
| Versorgungsstrom | 35mA | |
| Alle auswählen | ||
|---|---|---|
Marke Infineon | ||
Produkt Typ SRAM | ||
Speicher Größe 16MB | ||
Anzahl der Wörter 1000 k, 2000 k | ||
Anzahl der Bits pro Wort 16 | ||
Zugriffszeit max. 45ns | ||
Minimale Versorgungsspannung 0.3V | ||
Montageart Oberfläche | ||
Maximale Versorgungsspannung 3.9V | ||
Gehäusegröße TSOP I | ||
Betriebstemperatur min. -40°C | ||
Maximale Betriebstemperatur 85°C | ||
Pinanzahl 48 | ||
Serie CY62167EV30 | ||
Normen/Zulassungen RoHS | ||
Höhe 12mm | ||
Länge 20mm | ||
Versorgungsstrom 35mA | ||
Der SRAM von Infineon ist ein leistungsstarker statischer CMOS-RAM, der als 1 Mio. Wörter pro 16 Bit oder 2 Mio. Wörter pro 8 Bit organisiert ist. Dieses Gerät verfügt über ein fortschrittliches Schaltkreisdesign, das einen extrem niedrigen aktiven Strom liefert. Der extrem niedrige aktive Strom ist ideal für eine längere Batterielebensdauer in tragbaren Anwendungen wie Mobiltelefonen. Das Gerät verfügt außerdem über eine automatische Abschaltfunktion, die den Stromverbrauch um 99 Prozent reduziert, wenn die Adressen nicht abgeschaltet werden.
Sehr hohe Geschwindigkeit
Extrem niedrige aktive Leistung
Extrem niedrige Standby-Leistung
CMOS für optimale Geschwindigkeit und Leistung
Automatische Abschaltung bei Deaktivierung
Verwandte Links
- Infineon 16 MB SRAM 1000 k, 2000 k, 16 / Wort, TSOP I 48-Pin
- Infineon 16 MB SRAM 1M 1 MHz, 16 / Wort 16 bit, TSOP 48-Pin
- Infineon 1 MB SRAM 64K, 16 / Wort, TSOP 44-Pin
- Infineon 8 MB SRAM 512K, 16 / Wort, TSOP 54-Pin
- Infineon 1 MB SRAM 128k, 16 / Wort, TSOP 32-Pin
- ISSI 16 MB SRAM 1M, 16 / Wort 20 bit, TSOP 48-Pin
- ISSI 1 MB SRAM 64K, 16 / Wort 16 bit, TSOP 44-Pin
- Infineon 1 MB SRAM 64K, 16 / Wort 16 bit, TSOP 44-Pin
