Infineon AEC-Q100 128 MB SRAM 200 MHz, 16 / Wort, FBGA-24 Kugel

Abbildung stellvertretend für Produktreihe

Mengenrabatt verfügbar

Zwischensumme (1 Stück)*

CHF.5.25

Add to Basket
Menge auswählen oder eingeben
Begrenzter Lagerbestand
  • 1 Einheit(en) versandfertig von einem anderen Standort
Sie benötigen mehr? Benötigte Menge eingeben und auf „Lieferverfügbarkeit überprüfen“ klicken.
Stück
Pro Stück
1 - 9CHF.5.25
10 - 24CHF.4.84
25 - 49CHF.4.65
50 - 99CHF.4.56
100 +CHF.4.24

*Richtpreis

RS Best.-Nr.:
273-5438
Herst. Teile-Nr.:
S70KL1282GABHV020
Marke:
Infineon
Finden Sie ähnliche Produkte, indem Sie ein oder mehrere Eigenschaften auswählen.
Alle auswählen

Marke

Infineon

Produkt Typ

SRAM

Speicher Größe

128MB

Anzahl der Bits pro Wort

16

Zugriffszeit max.

35ns

Taktfrequenz max.

200MHz

Minimale Versorgungsspannung

1.8V

Timing Typ

DDR

Maximale Versorgungsspannung

3V

Gehäusegröße

FBGA-24 Kugel

Betriebstemperatur min.

-40°C

Maximale Betriebstemperatur

105°C

Normen/Zulassungen

No

Serie

HYPERRAM

Automobilstandard

AEC-Q100

Der DRAM von Infineon ist ein Hochgeschwindigkeits-CMOS-Selbstaktualisierungs-DRAM mit HYPERBUSTM-Schnittstelle. Das DRAM-Array verwendet dynamische Zellen, die eine periodische Aktualisierung erfordern. Die Aktualisierungs-Steuerlogik im Gerät verwaltet die Aktualisierungsvorgänge auf dem DRAM-Array, wenn der Speicher vom HYPERBUSTM-Schnittstellenmaster nicht aktiv gelesen oder geschrieben wird. Da der Host keine Aktualisierungsvorgänge verwalten muss, erscheint das DRAM-Array dem Host so, als würde der Speicher statische Zellen verwenden, die Daten ohne Aktualisierung speichern. Daher wird der Speicher genauer als pseudostatischer RAM beschrieben.

HYPERBUSTM-Schnittstelle

200 MHz maximale Taktfrequenz

Konfigurierbare Ausbruchmerkmale

Datendurchsatz bis zu 400 MB/s

Bidirektionaler Lese- und Schreib-Datenstroboskop

Optionaler mittig ausgerichteter DDR-Lese-Strobe

Verwandte Links