Infineon 1 MB SRAM 128k, 8 / Wort, TSOP I 32-Pin
- RS Best.-Nr.:
- 273-7354
- Herst. Teile-Nr.:
- CY7C109D-10VXI
- Marke:
- Infineon
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Stück | Pro Stück | Pro Stange* |
|---|---|---|
| 23 - 92 | CHF.3.066 | CHF.70.45 |
| 115 + | CHF.2.804 | CHF.64.41 |
*Richtpreis
- RS Best.-Nr.:
- 273-7354
- Herst. Teile-Nr.:
- CY7C109D-10VXI
- Marke:
- Infineon
Technische Daten
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Produktdetails
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Alle auswählen | Eigenschaft | Wert |
|---|---|---|
| Marke | Infineon | |
| Produkt Typ | SRAM | |
| Speicher Größe | 1MB | |
| Organisation | 128 K x 8 | |
| Anzahl der Wörter | 128k | |
| Anzahl der Bits pro Wort | 8 | |
| Minimale Versorgungsspannung | 0.5V | |
| Montageart | Oberfläche | |
| Maximale Versorgungsspannung | 6V | |
| Gehäusegröße | TSOP I | |
| Betriebstemperatur min. | -40°C | |
| Maximale Betriebstemperatur | 85°C | |
| Pinanzahl | 32 | |
| Serie | CY7C109D | |
| Breite | 1.05 mm | |
| Länge | 20.2mm | |
| Höhe | 8.2mm | |
| Normen/Zulassungen | RoHS | |
| Versorgungsstrom | 80mA | |
| Alle auswählen | ||
|---|---|---|
Marke Infineon | ||
Produkt Typ SRAM | ||
Speicher Größe 1MB | ||
Organisation 128 K x 8 | ||
Anzahl der Wörter 128k | ||
Anzahl der Bits pro Wort 8 | ||
Minimale Versorgungsspannung 0.5V | ||
Montageart Oberfläche | ||
Maximale Versorgungsspannung 6V | ||
Gehäusegröße TSOP I | ||
Betriebstemperatur min. -40°C | ||
Maximale Betriebstemperatur 85°C | ||
Pinanzahl 32 | ||
Serie CY7C109D | ||
Breite 1.05 mm | ||
Länge 20.2mm | ||
Höhe 8.2mm | ||
Normen/Zulassungen RoHS | ||
Versorgungsstrom 80mA | ||
Das statische RAM von Infineon ist ein hochleistungsfähiges statisches CMOS-RAM, das als 131.072 Worte mit 8 Bits organisiert ist. Eine einfache Speichererweiterung wird durch ein aktives Low-Chip-Enable, ein aktives High-Chip-Enable, ein aktives Low-Output-Enable und Tri-State-Treiber ermöglicht. Führen Sie Schreibvorgänge im Teil aus, indem Sie die Eingänge Chip Enable One und Write Enable auf Low und den Eingang Chip Enable Two auf High setzen. Die Daten an den acht IO-Pins werden dann an die an den Adresspins angegebene Stelle geschrieben.
Hohe Geschwindigkeit
Geringe Wirkleistung
Einfache Speichererweiterung
Geringe CMOS-Standby-Leistung
TTL-kompatible Ein- und Ausgänge
Automatische Abschaltung bei Abwahl
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