Renesas Electronics 32MBit LowPower SRAM 2M, 16bit / Wort, μTSOP II 52-Pin
- RS Best.-Nr.:
- 767-5951
- Herst. Teile-Nr.:
- R1LV3216RSD-5SI#B0
- Marke:
- Renesas Electronics
Nicht verfügbar
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- 767-5951
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- R1LV3216RSD-5SI#B0
- Marke:
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Technische Daten
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Produktdetails
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Alle auswählen | Eigenschaft | Wert |
|---|---|---|
| Marke | Renesas Electronics | |
| Speicher Größe | 32MBit | |
| Organisation | 2 M Wörter x 16 bit | |
| Anzahl der Wörter | 2M | |
| Anzahl der Bits pro Wort | 16bit | |
| Zugriffszeit max. | 55ns | |
| Low Power | Ja | |
| Timing Typ | Asymmetrisch | |
| Montage-Typ | SMD | |
| Gehäusegröße | μTSOP II | |
| Pinanzahl | 52 | |
| Abmessungen | 10.89 x 8.99 x 1mm | |
| Höhe | 1mm | |
| Arbeitsspannnung max. | 3,6 V | |
| Betriebstemperatur max. | +85 °C | |
| Betriebstemperatur min. | -40 °C | |
| Arbeitsspannnung min. | 2,7 V | |
| Breite | 8.99mm | |
| Länge | 10.89mm | |
| Alle auswählen | ||
|---|---|---|
Marke Renesas Electronics | ||
Speicher Größe 32MBit | ||
Organisation 2 M Wörter x 16 bit | ||
Anzahl der Wörter 2M | ||
Anzahl der Bits pro Wort 16bit | ||
Zugriffszeit max. 55ns | ||
Low Power Ja | ||
Timing Typ Asymmetrisch | ||
Montage-Typ SMD | ||
Gehäusegröße μTSOP II | ||
Pinanzahl 52 | ||
Abmessungen 10.89 x 8.99 x 1mm | ||
Höhe 1mm | ||
Arbeitsspannnung max. 3,6 V | ||
Betriebstemperatur max. +85 °C | ||
Betriebstemperatur min. -40 °C | ||
Arbeitsspannnung min. 2,7 V | ||
Breite 8.99mm | ||
Länge 10.89mm | ||
SRAM mit geringem Stromverbrauch, Serie R1LV, Renesas Electronics
Die hoch entwickelten Niederspannungs-SRAMs der Serie R1LV eignen sich für Anwendungen, bei denen einfache Kopplung, Batteriebetrieb und Batteriepufferung sind die wichtigen Zielsetzungen des Designs sind.
Einfaches Netzteil mit 2,7 V oder 3,6 V
Kleine Ruhestromanforderungen
Keine Taktung, keine Aktualisierung erforderlich
Alle Eingänge und Ausgänge sind TTL-kompatibel.
Ausgänge mit drei Zuständen: OR-Tie-Fähigkeit
Kleine Ruhestromanforderungen
Keine Taktung, keine Aktualisierung erforderlich
Alle Eingänge und Ausgänge sind TTL-kompatibel.
Ausgänge mit drei Zuständen: OR-Tie-Fähigkeit
SRAM (Static Random Access Memory)
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