Renesas Electronics 4MBit LowPower SRAM-Speicher 512K, 8 / Wort 19bit, TSOP 32-Pin
- RS Best.-Nr.:
- 772-6166P
- Herst. Teile-Nr.:
- R1LV0408DSB-5SR#B0
- Marke:
- Renesas Electronics
Nicht verfügbar
Wir haben dieses Produkt aus dem Sortiment genommen.
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- Marke:
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Technische Daten
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Rechtliche Anforderungen
Produktdetails
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Alle auswählen | Eigenschaft | Wert |
|---|---|---|
| Marke | Renesas Electronics | |
| Speicher Größe | 4MBit | |
| Organisation | 512K x 8 bit | |
| Anzahl der Wörter | 512K | |
| Anzahl der Bits pro Wort | 8 | |
| Zugriffszeit max. | 55ns | |
| Adressbusbreite | 19bit | |
| Low Power | Ja | |
| Timing Typ | Asymmetrisch | |
| Montage-Typ | SMD | |
| Gehäusegröße | TSOP | |
| Pinanzahl | 32 | |
| Abmessungen | 21.05 x 10.26 x 1mm | |
| Arbeitsspannnung max. | 3,6 V | |
| Höhe | 1mm | |
| Arbeitsspannnung min. | 2,7 V dc | |
| Breite | 10.26mm | |
| Betriebstemperatur max. | +70 °C | |
| Länge | 21.05mm | |
| Betriebstemperatur min. | 0 °C | |
| Alle auswählen | ||
|---|---|---|
Marke Renesas Electronics | ||
Speicher Größe 4MBit | ||
Organisation 512K x 8 bit | ||
Anzahl der Wörter 512K | ||
Anzahl der Bits pro Wort 8 | ||
Zugriffszeit max. 55ns | ||
Adressbusbreite 19bit | ||
Low Power Ja | ||
Timing Typ Asymmetrisch | ||
Montage-Typ SMD | ||
Gehäusegröße TSOP | ||
Pinanzahl 32 | ||
Abmessungen 21.05 x 10.26 x 1mm | ||
Arbeitsspannnung max. 3,6 V | ||
Höhe 1mm | ||
Arbeitsspannnung min. 2,7 V dc | ||
Breite 10.26mm | ||
Betriebstemperatur max. +70 °C | ||
Länge 21.05mm | ||
Betriebstemperatur min. 0 °C | ||
- Ursprungsland:
- JP
SRAM mit geringem Stromverbrauch, Serie R1LV, Renesas Electronics
Die hoch entwickelten Niederspannungs-SRAMs der Serie R1LV eignen sich für Anwendungen, bei denen einfache Kopplung, Batteriebetrieb und Batteriepufferung sind die wichtigen Zielsetzungen des Designs sind.
Einfaches Netzteil mit 2,7 V oder 3,6 V
Kleine Ruhestromanforderungen
Keine Taktung, keine Aktualisierung erforderlich
Alle Eingänge und Ausgänge sind TTL-kompatibel.
Ausgänge mit drei Zuständen: OR-Tie-Fähigkeit
Kleine Ruhestromanforderungen
Keine Taktung, keine Aktualisierung erforderlich
Alle Eingänge und Ausgänge sind TTL-kompatibel.
Ausgänge mit drei Zuständen: OR-Tie-Fähigkeit
SRAM (Static Random Access Memory)