Renesas Electronics 4MBit SRAM 512K 1MHz, 8bit / Wort 8bit, SOJ 36-Pin
- RS Best.-Nr.:
- 901-5761P
- Herst. Teile-Nr.:
- R1RW0408DGE-2PR#B0
- Marke:
- Renesas Electronics
Mengenrabatt verfügbar
Zwischensumme 5 Stück (geliefert in Stange)*
CHF.67.15
Bestandsabfrage aktuell nicht möglich
Stück | Pro Stück |
|---|---|
| 5 - 9 | CHF.13.43 |
| 10 - 14 | CHF.13.08 |
| 15 - 29 | CHF.12.74 |
| 30 + | CHF.12.42 |
*Richtpreis
- RS Best.-Nr.:
- 901-5761P
- Herst. Teile-Nr.:
- R1RW0408DGE-2PR#B0
- Marke:
- Renesas Electronics
Technische Daten
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Rechtliche Anforderungen
Produktdetails
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Alle auswählen | Eigenschaft | Wert |
|---|---|---|
| Marke | Renesas Electronics | |
| Speicher Größe | 4MBit | |
| Organisation | 512K x 8 bit | |
| Anzahl der Wörter | 512K | |
| Anzahl der Bits pro Wort | 8bit | |
| Zugriffszeit max. | 12ns | |
| Adressbusbreite | 8bit | |
| Taktfrequenz | 1MHz | |
| Montage-Typ | SMD | |
| Gehäusegröße | SOJ | |
| Pinanzahl | 36 | |
| Abmessungen | 23.62 x 10.29 x 3.05mm | |
| Höhe | 3.05mm | |
| Arbeitsspannnung max. | 3,6 V | |
| Arbeitsspannnung min. | 3 V | |
| Breite | 10.29mm | |
| Länge | 23.62mm | |
| Betriebstemperatur max. | +70 °C | |
| Betriebstemperatur min. | 0 °C | |
| Alle auswählen | ||
|---|---|---|
Marke Renesas Electronics | ||
Speicher Größe 4MBit | ||
Organisation 512K x 8 bit | ||
Anzahl der Wörter 512K | ||
Anzahl der Bits pro Wort 8bit | ||
Zugriffszeit max. 12ns | ||
Adressbusbreite 8bit | ||
Taktfrequenz 1MHz | ||
Montage-Typ SMD | ||
Gehäusegröße SOJ | ||
Pinanzahl 36 | ||
Abmessungen 23.62 x 10.29 x 3.05mm | ||
Höhe 3.05mm | ||
Arbeitsspannnung max. 3,6 V | ||
Arbeitsspannnung min. 3 V | ||
Breite 10.29mm | ||
Länge 23.62mm | ||
Betriebstemperatur max. +70 °C | ||
Betriebstemperatur min. 0 °C | ||
- Ursprungsland:
- CN
Energiesparversion-SRAM, Serie R1RW, Renesas Electronics
Bei der Serie R1RW handelt es sich um ein SRAM, das am besten für Anwendungen geeignet ist, die Speicher mit hoher Geschwindigkeit und hoher Dichte und eine Konfiguration mit großer Bit-Breite erfordern, beispielsweise Cache und Pufferspeicher im System.
Einfache 3,3 V-Spannungsversorgung
Zugriffszeit: 10 ns / 12 ns
Kein Taktgeber oder Timing-Stroboskop erforderlich
Gleiche Zugriffs- und Zykluszeiten
Alle Eingänge und Ausgänge sind TTL-kompatibel
Zugriffszeit: 10 ns / 12 ns
Kein Taktgeber oder Timing-Stroboskop erforderlich
Gleiche Zugriffs- und Zykluszeiten
Alle Eingänge und Ausgänge sind TTL-kompatibel
SRAM (Static Random Access Memory)