JFET | JFET-Transistoren | RS
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    JFET

    Ein JFET ist eine Einheit mit vier Anschlüssen. Sie heißen Gate, Drain, Quelle und Gehäuse. Die Gehäuseklemme ist immer mit der Quelle verbunden. Es gibt zwei Arten von JFETs: N-Kanal und P-Kanal. JFET steht für Sperrschicht-Feldeffekttransistor (Junction Field-Effect Transistor). Sie können auch als JUGFET bezeichnet werden.

    N-Kanal-JFET-Konstruktion

    Der Name N-Kanal bedeutet, dass die Elektronen die Hauptladungsträger sind. Zur Bildung des N-Kanals wird ein Halbleiter vom Typ N als Basis verwendet und an beiden Enden mit einem Halbleiter vom Typ P dotiert. Beide P-Bereiche sind elektrisch mit einem ohmschen Kontakt am Gate verbunden. Zwei weitere Klemmen sind an den gegenüberliegenden Enden für den Ablauf und die Quelle herausgeführt.

    P-Kanal-JFET-Konstruktion

    Der Name P-Kanal bedeutet, dass die Löcher die meisten Ladungsträger sind. Zur Bildung des P-Kanals wird ein Halbleiter vom Typ P als Basis verwendet und an beiden Enden mit einem Halbleiter vom Typ N dotiert. Beide N-Bereiche sind elektrisch mit einem ohmschen Kontakt am Gate verbunden. Zwei weitere Klemmen sind an den gegenüberliegenden Enden für den Ablauf und die Quelle herausgeführt.

    Eigenschaften und Vorteile

    • Hohe Eingangsimpedanz
    • Spannungsgesteuertes Gerät
    • Ein hoher Isolationsgrad zwischen Eingang und Ausgang
    • Weniger Lärm

    Wofür werden JFET-Transistoren eingesetzt?

    JFET-Transistoren haben viele Anwendungen in der Elektronik und Kommunikation. Sie können sie als elektronisch gesteuerten Schalter zur Steuerung der elektrischen Energie für eine Last und als Verstärker verwenden.

    Was ist der Unterschied zwischen einem JFET und einem BJT (Bipolar Junction Transistor)?

    Der Hauptunterschied zwischen einem JFET und BJT besteht darin, dass ein Feldeffekttransistor nur Mehrheits-Ladungsträgerströme liefert, während der BJT (Bipolartransistor) sowohl Mehrheits- und Minderheits-Ladungsträgerflüsse bietet.

    Was ist die Dotierung von Halbleitern?

    Dotierung ist der Prozess, bei dem Fremdverunreinigungen in intrinsische Halbleiter eingebracht werden, um deren elektrische Eigenschaften zu verändern. Dreiwertige Atome, die zum Dotieren von Silizium verwendet werden, bewirken, dass ein intrinsischer Halbleiter zu einem Halbleiter vom Typ P wird. Fünfwertige Atome, die zum Dotieren von Silizium verwendet werden, bewirken, dass ein intrinsischer Halbleiter zu einem N-Typ-Halbleiter wird.

    93 Produkte angezeigt für JFET

    CHF.0.116
    Stück (In in einem Beutel mit 1000)
    onsemi
    N
    min. 5mA
    -
    -35 V
    35V
    Single
    Einfach
    50 Ω
    THT
    TO-92
    3
    28pF
    28pF
    5.2 x 4.19 x 5.33mm
    Toshiba
    N
    0.3 to 0.75mA
    10 V
    -30 V
    -50V
    Single
    Einfach
    -
    SMD
    SOT-346 (SC-59)
    3
    -
    -
    2.9 x 1.5 x 1.1mm
    onsemi
    P
    1.5 to 20mA
    -
    -
    25V dc
    Single
    Einfach
    300 Ω
    SMD
    SOT-23
    3
    -
    11pF
    3.04 x 1.4 x 1.01mm
    onsemi
    N
    min. 2mA
    -
    -35 V
    35V
    Single
    Einfach
    100 Ω
    SMD
    SOT-23
    3
    28pF
    28pF
    2.92 x 1.3 x 0.93mm
    onsemi
    N
    5 to 30mA
    30 V
    +30 V
    30V
    Single
    Einfach
    100 Ω
    SMD
    SOT-23
    3
    14pF
    14pF
    3.04 x 1.4 x 1.01mm
    onsemi
    N
    24 to 60mA
    25 V
    -
    -
    Single
    Einfach
    -
    SMD
    SOT-23
    3
    -
    5pF
    3.04 x 1.4 x 1.01mm
    onsemi
    N
    50 to 150mA
    30 V
    +30 V
    30V
    Single
    Einfach
    30 Ω
    SMD
    SOT-23
    3
    -
    -
    2.9 x 1.3 x 0.94mm
    onsemi
    N
    min. 15mA
    0,2 V
    –40 V
    40V
    Single
    Einfach
    50 Ω
    SMD
    SOT-23
    3
    -
    -
    2.92 x 1.3 x 0.93mm
    onsemi
    N
    12 to 30mA
    25 V
    -
    -
    Single
    Einfach
    -
    SMD
    SOT-23
    3
    -
    5pF
    3.04 x 1.4 x 1.01mm
    onsemi
    N
    50 to 150mA
    30 V
    +30 V
    30V
    Single
    Einfach
    30 Ω
    SMD
    SOT-23
    3
    -
    -
    2.9 x 1.3 x 0.94mm
    onsemi
    N
    min. 2mA
    -
    -35 V
    35V
    Single
    Einfach
    100 Ω
    SMD
    SOT-23
    3
    28pF
    28pF
    2.92 x 1.3 x 0.93mm
    onsemi
    N
    min. 40mA
    -
    -25 V
    25V
    Single
    Einfach
    12 Ω
    THT
    TO-92
    3
    85pF
    85pF
    4.58 x 3.86 x 4.58mm
    onsemi
    N
    14.5 to 24mA
    15 V
    -
    -15V
    Single
    Einfach
    -
    SMD
    CP
    3
    10pF
    3pF
    2.9 x 1.5 x 1.1mm
    onsemi
    N
    min. 5mA
    -
    -35 V
    35V
    Single
    Einfach
    50 Ω
    SMD
    SOT-23
    3
    28pF
    28pF
    2.92 x 1.3 x 0.93mm
    onsemi
    N
    24 to 60mA
    25 V
    +25 V
    -
    Single
    Einfach
    -
    SMD
    SOT-23
    3
    -
    -
    2.9 x 1.3 x 0.94mm
    NXP
    N
    12 to 25mA
    25 V
    +25 V
    25V
    Single
    Einfach
    -
    SMD
    SOT-23 (TO-236AB)
    3
    -
    -
    3 x 1.4 x 1mm
    onsemi
    N
    min. 5mA
    -
    -35 V
    35V
    Single
    Einfach
    50 Ω
    SMD
    SOT-23
    3
    28pF
    28pF
    2.92 x 1.3 x 0.93mm
    onsemi
    N
    1.2 to 3mA
    30 V
    -
    -30V
    Single
    Einfach
    -
    SMD
    SOT-883
    3
    4pF
    4pF
    1.08 x 0.68 x 0.41mm
    onsemi
    N
    16 to 32mA
    15 V
    -
    -15V
    Single
    Einfach
    -
    SMD
    CP
    3
    10pF
    2.9pF
    2.9 x 1.5 x 1.1mm
    onsemi
    P
    -2 to -25mA
    15 V
    +30 V
    -30V
    Single
    Einfach
    250 Ω
    SMD
    SOT-23
    3
    -
    -
    2.92 x 1.3 x 0.93mm
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