MOSFET

MOSFETs, auch MOSFET-Transistoren, steht für "Metal Oxide Semiconductor Field-Effect Transistors" (Metalloxid-Halbleiter-Feldeffekttransistoren). MOSFETs sind Transistorgeräte, die von einem Kondensator gesteuert werden. Der "Feldeffekt" bedeutet, dass sie über Spannung gesteuert werden. Das Ziel eines MOSFET ist die Regelung des Stromflusses, der von der Quelle zu den Drain-Anschlüssen fließt. MOSFETs funktionieren ähnlich wie ein Schalter und werden zum Schalten oder Verstärken elektronischer Signale verwendet.

Diese Halbleitergeräte sind integrierte Schaltkreise (Integrated Circuit, IC), die auf Leiterplatten montiert sind. MOSFETs sind in einer Reihe von Standardgehäusetypen wie DPAK, D2PAK, DFN, I2PAK, SOIC, SOT-223 und TO-220 erhältlich. Für weitere Informationen über MOSFETs siehe unsere vollständige Anleitung zu MOSFETs.

Was sind der Verarmungs- und der Anreicherungstyp?

MOSFET-Transistoren haben zwei Modi: Verarmung und Anreicherung. Verarmungs-MOSFETs funktionieren wie ein geschlossener Schalter. Der Strom fließt, wenn kein Strom angelegt wird. Der Stromfluss wird unterbrochen, wenn eine negative Spannung angelegt wird. Anreicherungsmodus-MOSFETs sind wie ein variabler Widerstand und im Allgemeinen beliebter als Verarmungstyp-MOSFETs. Sie sind in N-Kanal- oder P-Kanal-Varianten erhältlich.

Wie funktionieren MOSFETs?

Die Stifte auf einem MOSFET-Gehäuse sind Quelle, Gate und Drain. Wenn zwischen den Gate- und den Quellklemmen eine Spannung angelegt wird, kann Strom vom Drain zu den Quellstiften fließen. Wenn sich die an das Gate angelegte Spannung ändert, ändert sich auch der Widerstand vom Drain zur Quelle. Je niedriger die angelegte Spannung, desto höher der Widerstand. Wenn die Spannung steigt, sinkt der Widerstand zwischen Drain und Quelle. Leistungs-MOSFETs sind wie Standard-MOSFETs, aber für einen höheren Leistungsgrad ausgelegt.

N-Kanal- im Vergleich mit P-Kanal-MOSFETs

N-Kanal-MOSFETs enthalten zusätzliche Elektronen, die sich frei bewegen können. Sie sind der beliebtere Kanaltyp. N-Kanal-MOSFETs funktionieren, wenn eine positive Ladung an den Gate-Anschluss angelegt wird.

P-Kanal-MOSFETS enthalten Elektronen und Elektronenlöcher in ihrem Substrat. P-Kanal-MOSFETs sind mit einer positiven Spannung verbunden. Diese MOSFETs schalten sich ein, wenn die an den Gate-Anschluss angelegte Spannung niedriger als die Quellspannung ist.


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Beschreibung Preis Channel-Typ Dauer-Drainstrom max. Drain-Source-Spannung max. Drain-Source-Widerstand max. Gehäusegröße Gate-Schwellenspannung max. Montage-Typ Gate-Schwellenspannung min. Pinanzahl Gate-Source Spannung max. Channel-Modus Verlustleistung max. Transistor-Konfiguration Anzahl der Elemente pro Chip
RS Best.-Nr. 169-8935
Herst. Teile-Nr.TSM2302CX RFG
CHF.0.257
Stück (Auf einer Rolle von 3000)
Stück
N 2,8 A 20 V 65 mΩ SOT-23 1.2V SMD - 3 –8 V, +8 V Enhancement 900 mW Einfach 1
RS Best.-Nr. 169-9279
Herst. Teile-Nr.TSM2306CX RFG
CHF.0.421
Stück (Auf einer Rolle von 3000)
Stück
N 3,5 A 30 V 94 mΩ SOT-23 3V SMD - 3 -20 V, +20 V Enhancement 1,25 W Einfach 1
RS Best.-Nr. 398-423
Herst. Teile-Nr.TSM2302CX RFG
CHF.0.328
Stück (In einer VPE à 50)
Stück
N 2,8 A 20 V 65 mΩ SOT-23 1.2V SMD - 3 –8 V, +8 V Enhancement 900 mW Einfach 1
RS Best.-Nr. 743-6021
Herst. Teile-Nr.TSM2306CX RFG
CHF.0.43
Stück (In einer VPE à 25)
Stück
N 3,5 A 30 V 94 mΩ SOT-23 3V SMD - 3 -20 V, +20 V Enhancement 1,25 W Einfach 1
RS Best.-Nr. 171-3719
Herst. Teile-Nr.TSM4N80CI C0G
CHF.2.937
Stück (In einer VPE à 10)
Stück
N 4 A 800 V 3 Ω ITO-220 4V Durchsteckmontage 2V 3 ±30 V Enhancement 38,7 W Einfach 1
RS Best.-Nr. 171-3615
Herst. Teile-Nr.TSM2308CX RFG
CHF.0.480
Stück (Auf einer Rolle von 3000)
Stück
N 3 A 60 V 192 mΩ SOT-23 2.5V SMD 1.2V 3 ±20 V Enhancement 1,25 W Einfach 1
RS Best.-Nr. 171-3703
Herst. Teile-Nr.TSM230N06CP ROG
CHF.0.714
Stück (In einer VPE à 25)
Stück
N 50 A 60 V 28 mΩ TO-252 2.5V SMD 1.2V 3 + Tab ±20 V Enhancement 53 W Einfach 1
RS Best.-Nr. 171-3721
Herst. Teile-Nr.TSM4NB60CI C0G
CHF.0.328
Stück (In einer VPE à 25)
Stück
N 4 A 600 V 2,5 Ω ITO-220 4.5V Durchsteckmontage 2.5V 3 ±30 V Enhancement 25 W Einfach 1
NEU
RS Best.-Nr. 216-9696
Herst. Teile-Nr.TSM150NB04LCR
CHF.0.398
Stück (In einer VPE à 25)
Stück
- 41 A 40 V 15 mΩ PDFN56 2.5V - - 8 - Enhancement - - -
NEU
RS Best.-Nr. 216-9679
Herst. Teile-Nr.TSM089N08LCR
CHF.1.030
Stück (In einer VPE à 10)
Stück
- 67 A 80 V 8,9 mΩ PDFN56 2.5V - - 8 - Enhancement - - -
NEU
RS Best.-Nr. 216-9651
Herst. Teile-Nr.TSM033NB04CR
CHF.0.690
Stück (Auf einer Rolle von 2500)
Stück
- 121 A 40 V 3,3 mΩ PDFN56 4V - - 8 - Enhancement - - -
RS Best.-Nr. 171-3616
Herst. Teile-Nr.TSM2309CX RFG
CHF.0.23
Stück (Auf einer Rolle von 3000)
Stück
P 3,1 A 60 V 240 mΩ SOT-23 2.5V SMD 1.2V 3 ±20 V Enhancement 1,56 W Einfach 1
RS Best.-Nr. 171-3623
Herst. Teile-Nr.TSM4806CS RLG
CHF.0.094
Stück (Auf einer Rolle von 2500)
Stück
N 28 A 20 V 31 mΩ SOP 1V SMD 0.3V 8 ±8 V Enhancement 2 W Einfach 1
NEU
RS Best.-Nr. 216-9659
Herst. Teile-Nr.TSM045NB06CR
CHF.1.10
Stück (In einer VPE à 10)
Stück
- 104 A 60 V 5 mΩ PDFN56 4V - - 8 - Enhancement - - -
RS Best.-Nr. 171-3635
Herst. Teile-Nr.TSM70N1R4CP ROG
CHF.1.194
Stück (Auf einer Rolle von 2500)
Stück
N 3,3 A 700 V 1,4 Ω TO-252 4V SMD 2V 3 + Tab ±30 V Enhancement 38 W Einfach 1
NEU
RS Best.-Nr. 216-9700
Herst. Teile-Nr.TSM170N06PQ56
CHF.0.363
Stück (In einer VPE à 25)
Stück
- 44 A 60 V 17 mΩ PDFN56 2.5V - - 8 - Enhancement - - -
NEU
RS Best.-Nr. 216-9699
Herst. Teile-Nr.TSM170N06PQ56
CHF.0.293
Stück (Auf einer Rolle von 2500)
Stück
- 44 A 60 V 17 mΩ PDFN56 2.5V - - 8 - Enhancement - - -
RS Best.-Nr. 171-3659
Herst. Teile-Nr.TSM090N03CP ROG
CHF.0.714
Stück (In einer VPE à 25)
Stück
N 55 A 30 V 13 mΩ TO-252 2.5V SMD 1V 3 + Tab ±20 V Enhancement 40 W Einfach 1
NEU
RS Best.-Nr. 216-9687
Herst. Teile-Nr.TSM130NB06CR
CHF.0.562
Stück (In einer VPE à 25)
Stück
- 51 A 60 V 13 mΩ PDFN56 4V - - 8 - Enhancement - - -
RS Best.-Nr. 171-3695
Herst. Teile-Nr.TSM70N1R4CP ROG
CHF.1.205
Stück (In einer VPE à 10)
Stück
N 3,3 A 700 V 1,4 Ω TO-252 4V SMD 2V 3 + Tab ±30 V Enhancement 38 W Einfach 1