MOSFET

MOSFETs, auch MOSFET-Transistoren, steht für "Metal Oxide Semiconductor Field-Effect Transistors" (Metalloxid-Halbleiter-Feldeffekttransistoren). MOSFETs sind Transistorgeräte, die von einem Kondensator gesteuert werden. Der "Feldeffekt" bedeutet, dass sie über Spannung gesteuert werden. Das Ziel eines MOSFET ist die Regelung des Stromflusses, der von der Quelle zu den Drain-Anschlüssen fließt. MOSFETs funktionieren ähnlich wie ein Schalter und werden zum Schalten oder Verstärken elektronischer Signale verwendet.

Diese Halbleitergeräte sind integrierte Schaltkreise (Integrated Circuit, IC), die auf Leiterplatten montiert sind. MOSFETs sind in einer Reihe von Standardgehäusetypen wie DPAK, D2PAK, DFN, I2PAK, SOIC, SOT-223 und TO-220 erhältlich. Für weitere Informationen über MOSFETs siehe unsere vollständige Anleitung zu MOSFETs.

Was sind der Verarmungs- und der Anreicherungstyp?

MOSFET-Transistoren haben zwei Modi: Verarmung und Anreicherung. Verarmungs-MOSFETs funktionieren wie ein geschlossener Schalter. Der Strom fließt, wenn kein Strom angelegt wird. Der Stromfluss wird unterbrochen, wenn eine negative Spannung angelegt wird. Anreicherungsmodus-MOSFETs sind wie ein variabler Widerstand und im Allgemeinen beliebter als Verarmungstyp-MOSFETs. Sie sind in N-Kanal- oder P-Kanal-Varianten erhältlich.

Wie funktionieren MOSFETs?

Die Stifte auf einem MOSFET-Gehäuse sind Quelle, Gate und Drain. Wenn zwischen den Gate- und den Quellklemmen eine Spannung angelegt wird, kann Strom vom Drain zu den Quellstiften fließen. Wenn sich die an das Gate angelegte Spannung ändert, ändert sich auch der Widerstand vom Drain zur Quelle. Je niedriger die angelegte Spannung, desto höher der Widerstand. Wenn die Spannung steigt, sinkt der Widerstand zwischen Drain und Quelle. Leistungs-MOSFETs sind wie Standard-MOSFETs, aber für einen höheren Leistungsgrad ausgelegt.

N-Kanal- im Vergleich mit P-Kanal-MOSFETs

N-Kanal-MOSFETs enthalten zusätzliche Elektronen, die sich frei bewegen können. Sie sind der beliebtere Kanaltyp. N-Kanal-MOSFETs funktionieren, wenn eine positive Ladung an den Gate-Anschluss angelegt wird.

P-Kanal-MOSFETS enthalten Elektronen und Elektronenlöcher in ihrem Substrat. P-Kanal-MOSFETs sind mit einer positiven Spannung verbunden. Diese MOSFETs schalten sich ein, wenn die an den Gate-Anschluss angelegte Spannung niedriger als die Quellspannung ist.


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Beschreibung Preis Channel-Typ Dauer-Drainstrom max. Drain-Source-Spannung max. Drain-Source-Widerstand max. Gehäusegröße Gate-Schwellenspannung max. Montage-Typ Gate-Schwellenspannung min. Pinanzahl Gate-Source Spannung max. Channel-Modus Verlustleistung max. Transistor-Konfiguration Anzahl der Elemente pro Chip
RS Best.-Nr. 177-3294
Herst. Teile-Nr.DN2540N8-G
MarkeMicrochip
CHF.0.78
Stück (In einer VPE à 10)
Stück
N 170 mA 400 V 25 Ω TO-243AA - SMD - 3 20 V Depletion 1,6 W Einfach 2
RS Best.-Nr. 177-2814
Herst. Teile-Nr.DN2470K4-G
MarkeMicrochip
CHF.0.632
Stück (Auf einer Rolle von 2000)
Stück
N 170 mA 700 V 42 Ω TO-252 - SMD - 4 20 V Depletion 2,5 W Einfach 2
RS Best.-Nr. 177-9737
Herst. Teile-Nr.VP2450N8-G
MarkeMicrochip
CHF.1.57
Stück (In einer VPE à 5)
Stück
P 160 mA 500 V 35 Ω SOT-89 3.5V SMD 1.5V 3 20 V Enhancement 1,6 W Einfach 1
RS Best.-Nr. 177-9588
Herst. Teile-Nr.2N7000-G
MarkeMicrochip
CHF.0.293
Stück (In in einem Beutel mit 1000)
Stück
N 200 mA 60 V 5,3 Ω TO-92 3V Durchsteckmontage 0.8V 3 30 V Enhancement 1 W Einfach 1
RS Best.-Nr. 879-3283
Herst. Teile-Nr.VP2106N3-G
MarkeMicrochip
CHF.0.421
Stück (In einer VPE à 25)
Stück
P 250 mA 60 V 15 Ω TO-92 3.5V Durchsteckmontage - 3 -20 V, +20 V Enhancement 1 W Einfach 1
RS Best.-Nr. 178-5338
Herst. Teile-Nr.LND01K1-G
MarkeMicrochip
CHF.0.246
Stück (Auf einer Rolle von 3000)
Stück
N 330 mA 9 V 1,4 Ω SOT-23 - SMD - 5 -12 V, +0,6 V Depletion 360 mW Einfach 1
RS Best.-Nr. 177-2815
Herst. Teile-Nr.DN2540N8-G
MarkeMicrochip
CHF.0.620
Stück (Auf einer Rolle von 2000)
Stück
N 170 mA 400 V 25 Ω TO-243AA - SMD - 3 20 V Depletion 1,6 W Einfach 2
RS Best.-Nr. 178-4924
Herst. Teile-Nr.DN2540N5-G
MarkeMicrochip
CHF.1.077
Stück (In einer Stange von 50)
Stück
N 500 mA 400 V 25 Ω TO-220 3.5V Durchsteckmontage - 3 -20 V, +20 V Depletion 15 W Einfach 1
RS Best.-Nr. 177-9760
Herst. Teile-Nr.2N7000-G
MarkeMicrochip
CHF.0.304
Stück (In einer VPE à 25)
Stück
N 200 mA 60 V 5,3 Ω TO-92 3V Durchsteckmontage 0.8V 3 30 V Enhancement 1 W Einfach 1
RS Best.-Nr. 177-2938
Herst. Teile-Nr.MIC94052YC6-TR
MarkeMicrochip
CHF.0.492
Stück (Auf einer Rolle von 3000)
Stück
P 2 A 6 V 180 mΩ SC-70 1.2V SMD 0.5V 6 –6 V - 270 mW Einfach 2
RS Best.-Nr. 829-3332
Herst. Teile-Nr.DN2535N3-G
MarkeMicrochip
CHF.0.702
Stück (In einer VPE à 10)
Stück
N 120 mA 350 V 25 Ω TO-92 3.5V Durchsteckmontage - 3 -20 V, +20 V Depletion 1 W Einfach 1
RS Best.-Nr. 177-3358
Herst. Teile-Nr.MIC94052YC6-TR
MarkeMicrochip
CHF.0.55
Stück (In einer VPE à 20)
Stück
P 2 A 6 V 180 mΩ SC-70 1.2V SMD 0.5V 6 –6 V - 270 mW Einfach 2
RS Best.-Nr. 879-3274
Herst. Teile-Nr.VN2222LL-G
MarkeMicrochip
CHF.0.35
Stück (In einer VPE à 25)
Stück
N 230 mA 60 V 7,5 Ω TO-92 2.5V Durchsteckmontage - 3 -30 V, +30 V Enhancement 1 W Einfach 1
RS Best.-Nr. 829-3354
Herst. Teile-Nr.DN3535N8-G
MarkeMicrochip
CHF.0.690
Stück (In einer VPE à 10)
Stück
N 230 mA 350 V 10 Ω TO-243AA 3.5V SMD - 4 -20 V, +20 V Depletion 1,6 W Einfach 1
RS Best.-Nr. 177-9704
Herst. Teile-Nr.VN0104N3-G
MarkeMicrochip
CHF.0.456
Stück (In in einem Beutel mit 1000)
Stück
N 350 mA 40 V 5 Ω TO-92 2.4V Durchsteckmontage 0.8V 3 20 V Enhancement 1 W Einfach 1
RS Best.-Nr. 177-9854
Herst. Teile-Nr.TN2540N8-G
MarkeMicrochip
CHF.0.573
Stück (In einer VPE à 10)
Stück
N 260 mA 400 V 12 Ω TO-243AA 2V SMD 0.6V 3 20 V Enhancement 1,6 W Einfach 1
RS Best.-Nr. 177-9716
Herst. Teile-Nr.VN10KN3-G
MarkeMicrochip
CHF.0.363
Stück (In einer VPE à 25)
Stück
N 310 mA 60 V 7,5 Ω TO-92 2.5V Durchsteckmontage 0.8V 3 30 V Enhancement 1 W Einfach 1
RS Best.-Nr. 912-5259
Herst. Teile-Nr.LND01K1-G
MarkeMicrochip
CHF.0.269
Stück (In einer VPE à 25)
Stück
N 330 mA 9 V 1,4 Ω SOT-23 - SMD - 5 -12 V, +0,6 V Depletion 360 mW Einfach 1
RS Best.-Nr. 170-4342
Herst. Teile-Nr.LND150N3-G
MarkeMicrochip
CHF.0.339
Stück (In in einem Beutel mit 1000)
Stück
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RS Best.-Nr. 177-9693
Herst. Teile-Nr.TN2540N8-G
MarkeMicrochip
CHF.0.936
Stück (Auf einer Rolle von 2000)
Stück
N 260 mA 400 V 12 Ω TO-243AA 2V SMD 0.6V 3 20 V Enhancement 1,6 W Einfach 1