STMicroelectronics 128 kB EEPROM, Seriell-I2C Interface, UFDFPN, 450 ns Oberfläche 16k x 8 Bit 8-Pin 8

Abbildung stellvertretend für Produktreihe

Zwischensumme (1 Rolle mit 5000 Stück)*

CHF.1’260.00

Add to Basket
Menge auswählen oder eingeben
Auf Lager
  • Zusätzlich 5’000 Einheit(en) mit Versand ab 22. Dezember 2025
Sie benötigen mehr? Benötigte Menge eingeben und auf „Lieferverfügbarkeit überprüfen“ klicken.
Stück
Pro Stück
Pro Rolle*
5000 +CHF.0.252CHF.1’254.75

*Richtpreis

RS Best.-Nr.:
190-6757
Herst. Teile-Nr.:
M24128-BFMC6TG
Marke:
STMicroelectronics
Finden Sie ähnliche Produkte, indem Sie ein oder mehrere Eigenschaften auswählen.
Alle auswählen

Marke

STMicroelectronics

Speicher Größe

128kB

Produkt Typ

EEPROM

Schnittstellentyp

Seriell-I2C

Gehäusegröße

UFDFPN

Montageart

Oberfläche

Pinanzahl

8

Taktfrequenz max.

1MHz

Organisation

16k x 8 Bit

Minimale Versorgungsspannung

1.7V

Maximale Versorgungsspannung

5.5V

Anzahl der Bits pro Wort

8

Betriebstemperatur min.

-40°C

Maximale Betriebstemperatur

85°C

Normen/Zulassungen

No

Breite

1.5 mm

Länge

1.8mm

Zugriffszeit max.

450ns

Versorgungsstrom

2.5mA

Datenspeicherung

200year

Automobilstandard

AEC-Q100

Der M24128 ist ein 128-Kbit-I2C-kompatibler EEPROM (Electrically Erasable Programmable Memory), der als 16 K x 8 Bit organisiert ist. Der M24128-BW kann mit einer Versorgungsspannung von 2,5 V bis 5,5 V betrieben werden, der M24128-BR kann mit einer Versorgungsspannung betrieben werden

Kompatibel mit allen I2C-Busmodi:

1 MHz

400 kHz

100 kHz

Speicherarray:

128 Kbit (16 KByte) EEPROM

Seitengröße: 64 Byte

Zusätzliche abschließbare Schreibseite

Einfache Versorgungsspannung und hohe Geschwindigkeit:

1-MHz-Takt von 1,7 V bis 5,5 V.

Schreiben:

Byte-Schreiben innerhalb von 5 ms

Schreiben von Seiten innerhalb von 5 ms

Betriebstemperatur:

Von -40 °C bis +85 °C.

Zufällige und sequenzielle Lesemodi

Schreibschutz des gesamten Speicherarrays

Verbesserter ESD-/Latch-Up-Schutz

Mehr als 4 Million Schreibzyklen

Mehr als 200 Jahre Datenspeicherung

Gehäuse

SO8

TSSOP8

UFDFPN8

WLCSP

UFDFPN5

Unsawn Wafer (jede Matrize wird getestet)