STMicroelectronics M24256-BFMC6TG 256 kB EEPROM, Seriell-I2C Interface, UFDFPN, 450 ns Oberfläche 32K x 8 Bit, 32k x

Abbildung stellvertretend für Produktreihe

Mengenrabatt verfügbar

Zwischensumme (1 Packung mit 25 Stück)*

CHF.9.725

Add to Basket
Menge auswählen oder eingeben
Vorübergehend ausverkauft
  • Versand ab 24. März 2026
Sie benötigen mehr? Benötigte Menge eingeben und auf „Lieferverfügbarkeit überprüfen“ klicken.
Stück
Pro Stück
Pro Packung*
25 - 25CHF.0.389CHF.9.64
50 - 475CHF.0.378CHF.9.45
500 - 975CHF.0.347CHF.8.77
1000 - 2475CHF.0.336CHF.8.53
2500 +CHF.0.336CHF.8.32

*Richtpreis

Verpackungsoptionen:
RS Best.-Nr.:
190-7577
Herst. Teile-Nr.:
M24256-BFMC6TG
Marke:
STMicroelectronics
Finden Sie ähnliche Produkte, indem Sie ein oder mehrere Eigenschaften auswählen.
Alle auswählen

Marke

STMicroelectronics

Produkt Typ

EEPROM

Speicher Größe

256kB

Schnittstellentyp

Seriell-I2C

Gehäusegröße

UFDFPN

Montageart

Oberfläche

Pinanzahl

8

Taktfrequenz max.

1MHz

Organisation

32K x 8 Bit

Minimale Versorgungsspannung

1.7V

Maximale Versorgungsspannung

5.5V

Anzahl der Bits pro Wort

8

Betriebstemperatur min.

-40°C

Maximale Betriebstemperatur

85°C

Höhe

0.6mm

Normen/Zulassungen

RoHS 2011/65/EU

Länge

2.1mm

Serie

M24256

Breite

3 mm

Automobilstandard

AEC-Q100

Anzahl der Wörter

32k

Zugriffszeit max.

450ns

Versorgungsstrom

2.5mA

Datenspeicherung

200year

Der M24256-BW kann mit einer Versorgungsspannung von 2,5 V bis 5,5 V betrieben werden, der M24256-BR und der M24256-DR können mit einer Versorgungsspannung von 1,8 V bis 5,5 V betrieben werden, und die M24256-BF und M24256-DF können mit einer Versorgungsspannung von 1,7 V bis 5,5 V betrieben werden Alle diese Geräte arbeiten mit einer Taktfrequenz von 1 MHz (oder weniger) über einen Umgebungstemperaturbereich von -40 °C / +85 °C.

Kompatibel mit allen I2C-Busmodi:

1 MHz

400 kHz

100 kHz

Speicherarray:

256 Kbit (32 KByte) EEPROM

Seitengröße: 64 Byte

Zusätzliche abschließbare Schreibseite

Einfache Versorgungsspannung und hohe Geschwindigkeit:

1-MHz-Takt von 1,7 V bis 5,5 V.

Schreiben:

Byte-Schreiben innerhalb von 5 ms

Schreiben von Seiten innerhalb von 5 ms

Betriebstemperatur:

Von -40 °C bis +85 °C.

Zufällige und sequenzielle Lesemodi

Schreibschutz des gesamten Speicherarrays

Verbesserter ESD-/Latch-Up-Schutz

Mehr als 4 Million Schreibzyklen

Mehr als 200 Jahre Datenspeicherung

Gehäuse

SO8

TSSOP8

UFDFPN8

WLCSP

Unsawn Wafer (jede Matrize wird getestet)