Infineon NOR S25Fl128 Flash-Speicher 128 MB, 16M x 8 Bit, SPI, CFI, SOIC, 8-Pin
- RS Best.-Nr.:
- 184-0053
- Herst. Teile-Nr.:
- S25FS128SAGMFI100
- Marke:
- Infineon
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- RS Best.-Nr.:
- 184-0053
- Herst. Teile-Nr.:
- S25FS128SAGMFI100
- Marke:
- Infineon
Technische Daten
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Rechtliche Anforderungen
Produktdetails
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Alle auswählen | Eigenschaft | Wert |
|---|---|---|
| Marke | Infineon | |
| Produkt Typ | Flash-Speicher | |
| Speicher Größe | 128MB | |
| Schnittstellentyp | SPI, CFI | |
| Gehäusegröße | SOIC | |
| Pinanzahl | 8 | |
| Organisation | 16M x 8 Bit | |
| Montageart | Oberfläche | |
| Zellen-Typ | NOR | |
| Maximale Versorgungsspannung | 2V | |
| Minimale Versorgungsspannung | 1.7V | |
| Betriebstemperatur min. | -40°C | |
| Maximale Betriebstemperatur | 85°C | |
| Breite | 5.28 mm | |
| Länge | 5.28mm | |
| Normen/Zulassungen | RoHS | |
| Höhe | 1.9mm | |
| Anzahl der Bits pro Wort | 8 | |
| Anzahl der Wörter | 16M | |
| Serie | S25Fl128 | |
| Alle auswählen | ||
|---|---|---|
Marke Infineon | ||
Produkt Typ Flash-Speicher | ||
Speicher Größe 128MB | ||
Schnittstellentyp SPI, CFI | ||
Gehäusegröße SOIC | ||
Pinanzahl 8 | ||
Organisation 16M x 8 Bit | ||
Montageart Oberfläche | ||
Zellen-Typ NOR | ||
Maximale Versorgungsspannung 2V | ||
Minimale Versorgungsspannung 1.7V | ||
Betriebstemperatur min. -40°C | ||
Maximale Betriebstemperatur 85°C | ||
Breite 5.28 mm | ||
Länge 5.28mm | ||
Normen/Zulassungen RoHS | ||
Höhe 1.9mm | ||
Anzahl der Bits pro Wort 8 | ||
Anzahl der Wörter 16M | ||
Serie S25Fl128 | ||
- Ursprungsland:
- US
Dichte
S25FS128S-128 Mbit (16 MB)
S25FS256S-256 Mbit (32 MB)
Serielle Peripherie-Schnittstelle (SPI)
SPI-Taktpolarität und Phasenmodi 0 und 3
Option für doppelte Datenrate (DDR)
Erweiterte Adressierung: 24- oder 32-Bit-Adressoptionen
Serieller Befehls-Untersatz und Abmessungen kompatibel mit den SPI-Familien S25FL-A, S25FL-K, S25FL-P und S25FL-S
Mehrfach-E/A-Befehls-Untersatz und Abmessungen, kompatibel mit den SPI-Familien S25FL-P und S25FL-S
Ablesen
Befehle: Normal, Schnell, Zweifach-E/A, Vierfach-E/A, DDR Vierfach
E/A
Modi: Burst Wrap, Continuous (XIP), QPI
Serielle Flash-Erkennungsparameter (SFDP) und Common Flash Interface (CFI) für Konfigurationsinformationen
Programm
256- oder 512-Byte-Seitenprogrammierpuffer
Programmunterbrechung und Wiederaufnahme
Automatische ECC-Interne Hardware-Fehlerkorrektur-Code-Generierung mit Ein-Bit-Fehlerkorrektur
Löschen
Hybrid-Sektoroptionen
Physischer Satz von acht 4-KB-Sektoren und einem 32-KB-Sektor oben oder unten im Adressraum mit allen verbleibenden Sektoren von 64 KB oder
Physischer Satz von acht 4-KB-Sektoren und einem 224-KB-Sektor oben oder unten im Adressraum mit allen anderen Sektoren von 256 KB
Uniform-Sektoroptionen
Einheitliche 64-KB- oder 256-KB-Blöcke für Software
Kompatibilität mit höheren Dichte und zukünftigen Geräten
Löschbefestigung und Wiederaufnahme
Auswertung des Löschstatus
Mindestens 100.000 Programmlösungszyklen
20 Jahre Datenspeicherung, mindestens
Sicherheitsfunktionen
One-Time Program (OTP) Array von 1024 Byte
Blockschutz:
Status Register-Bits zur Steuerung des Schutzes gegen
Programmieren oder löschen einer Reihe von angrenzenden Sektoren
Hardware- und Software-Steuerungsoptionen
Advanced Sector Protection (ASP)
Individueller Sektorschutz, gesteuert durch Bootcode oder Passwort
Option zur Kennwortregelung des Lesezugriffs
Technologie
Cypress 65 nm MirrorBit®-Technologie mit EclipseTM
Architektur
Nennversorgungsspannung
1,7 V bis 2,0 V
Verpackungen (alle bleifrei)
8-adriger SOIC 208 mil (SOC008) – nur FS128S
WSON 6 x 5 mm (WND008) – nur FS128S
WSON 6 x 8 mm (WNH008)
16-adriger SOIC 300 mil (SO3016 — nur FS256S)
BGA-24 6 x 8 mm
5 x 5 Kugel (FAB024)
4 x 6 Kugel (FAC024)
Bekannte gute Matrizen und bekannte geprüfte Matrizen
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