OSI Optoelectronics Fotodiode Infrarot 65 ° 800 nm, Durchsteckmontage TO-52-Gehäuse 3-Pin
- RS Best.-Nr.:
- 177-5570
- Herst. Teile-Nr.:
- APD05-8-150-T52L
- Marke:
- OSI Optoelectronics
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Technische Daten
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Produktdetails
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Alle auswählen | Eigenschaft | Wert |
|---|---|---|
| Marke | OSI Optoelectronics | |
| Erkannte Spektren | Infrarot | |
| Produkt Typ | Fotodiode | |
| Wellenlänge der max. Empfindlichkeit | 800nm | |
| Gehäusegröße | TO-52 | |
| Montageart | Durchsteckmontage | |
| Verpackungsart | Band und Rolle | |
| Anzahl der Pins | 3 | |
| Wellenlänge min. | 600nm | |
| erfasste Wellenlänge max. | 1100nm | |
| Fallzeit typ. | 0.6ns | |
| Verstärkt | Nein | |
| Betriebstemperatur min. | -25°C | |
| Maximale Betriebstemperatur | 85°C | |
| Breite | 5mm | |
| Höhe | 3.8mm | |
| Normen/Zulassungen | RoHS | |
| Länge | 5mm | |
| Empfindlichkeit-Halbwertswinkel | 65 ° | |
| Durchmesser | 5.4mm | |
| Dunkelstrom | 0.2nA | |
| Regelanstiegszeit | 0.6ns | |
| Durchschlagspannung | 30V | |
| Polarität | Invertiert | |
| Automobilstandard | Nein | |
| Alle auswählen | ||
|---|---|---|
Marke OSI Optoelectronics | ||
Erkannte Spektren Infrarot | ||
Produkt Typ Fotodiode | ||
Wellenlänge der max. Empfindlichkeit 800nm | ||
Gehäusegröße TO-52 | ||
Montageart Durchsteckmontage | ||
Verpackungsart Band und Rolle | ||
Anzahl der Pins 3 | ||
Wellenlänge min. 600nm | ||
erfasste Wellenlänge max. 1100nm | ||
Fallzeit typ. 0.6ns | ||
Verstärkt Nein | ||
Betriebstemperatur min. -25°C | ||
Maximale Betriebstemperatur 85°C | ||
Breite 5mm | ||
Höhe 3.8mm | ||
Normen/Zulassungen RoHS | ||
Länge 5mm | ||
Empfindlichkeit-Halbwertswinkel 65 ° | ||
Durchmesser 5.4mm | ||
Dunkelstrom 0.2nA | ||
Regelanstiegszeit 0.6ns | ||
Durchschlagspannung 30V | ||
Polarität Invertiert | ||
Automobilstandard Nein | ||
- Ursprungsland:
- US
Fotodioden der Serie APD 8-150 von OSI mit Silizium-Stoßentladung
Bei der APD-Serie 8-150 von OSI Optoelectronics handelt es sich um eine Produktfamilie von Silizium-Stoßentladungs-Fotodioden, optimiert für den Betrieb mit 800 nm Wellenlängen. Sie werden in hermetisch versiegelten Metallgehäusen mit Durchmesseroptionen der aktiven Fläche von 0,2, 0,5, 1 oder 1,5 mm geliefert. Die Fotodioden der APD-Serie 8-150 bieten rauscharmes Verhalten und hohe Empfindlichkeit über Bandbreiten bis zu 1 GHz. Geeignete Anwendungen für die Fotodioden der Serie APD 8-150 umfassen die faseroptische Kommunikation, Laserentfernungsmesser und Lichtstärkemessung mit hoher Geschwindigkeit.
Merkmale der APD-Serie 8-150:
Gehäuse: TO-52 und TO-5
Niedriger Temperaturkoeffizient: 0,45 V/°C
Hohe Empfindlichkeit
Rauscharm
Große Bandbreite
Betriebstemperatur: –40 °C bis +100 °C
Fotodioden, OSI Optoelectronics
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