OSI Optoelectronics Fotodiode Ultraviolett 65 ° 720 nm, Durchsteckmontage TO-8-Gehäuse 2-Pin
- RS Best.-Nr.:
- 848-6281
- Herst. Teile-Nr.:
- UV-035EQ
- Marke:
- OSI Optoelectronics
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- UV-035EQ
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Alle auswählen | Eigenschaft | Wert |
|---|---|---|
| Marke | OSI Optoelectronics | |
| Erkannte Spektren | Ultraviolett | |
| Produkt Typ | Fotodiode | |
| Wellenlänge der max. Empfindlichkeit | 720nm | |
| Gehäusegröße | TO-8 | |
| Verpackungsart | Band und Rolle | |
| Montageart | Durchsteckmontage | |
| Anzahl der Pins | 2 | |
| Wellenlänge min. | 320nm | |
| erfasste Wellenlänge max. | 1100nm | |
| Fallzeit typ. | 0.6ns | |
| Verstärkt | Nein | |
| Betriebstemperatur min. | -25°C | |
| Maximale Betriebstemperatur | 85°C | |
| Höhe | 5.21mm | |
| Breite | 5mm | |
| Normen/Zulassungen | RoHS | |
| Länge | 8mm | |
| Empfindlichkeit-Halbwertswinkel | 65 ° | |
| Durchmesser | 13.97mm | |
| Durchschlagspannung | 30V | |
| Dunkelstrom | 0.2nA | |
| Regelanstiegszeit | 0.6ns | |
| Automobilstandard | Nein | |
| Polarität | Invertiert | |
| Alle auswählen | ||
|---|---|---|
Marke OSI Optoelectronics | ||
Erkannte Spektren Ultraviolett | ||
Produkt Typ Fotodiode | ||
Wellenlänge der max. Empfindlichkeit 720nm | ||
Gehäusegröße TO-8 | ||
Verpackungsart Band und Rolle | ||
Montageart Durchsteckmontage | ||
Anzahl der Pins 2 | ||
Wellenlänge min. 320nm | ||
erfasste Wellenlänge max. 1100nm | ||
Fallzeit typ. 0.6ns | ||
Verstärkt Nein | ||
Betriebstemperatur min. -25°C | ||
Maximale Betriebstemperatur 85°C | ||
Höhe 5.21mm | ||
Breite 5mm | ||
Normen/Zulassungen RoHS | ||
Länge 8mm | ||
Empfindlichkeit-Halbwertswinkel 65 ° | ||
Durchmesser 13.97mm | ||
Durchschlagspannung 30V | ||
Dunkelstrom 0.2nA | ||
Regelanstiegszeit 0.6ns | ||
Automobilstandard Nein | ||
Polarität Invertiert | ||
Fotodioden der Serie UV Enhanced von OSI
Bei der Serie UV Enhanced von OSI Optoelectronics handelt es sich um eine Serie von Silizium-Fotodioden mit verbesserter UV-Empfindlichkeit. Diese Serie umfasst zwei separate Produktfamilien von Fotodioden: Inversionskanal- und planare diffuse Struktur. Beide Familien sind für rauscharme Erkennung im UV-Bereich des elektromagnetischen Spektrums ausgelegt.
Die Produktfamilie mit Inversionsschichtstruktur zeigt 100 % interne Quanten-Ausbeute. Mit hohem Shuntwiderstand, rauscharmem Verhalten und hohen Durchschlagsspannungen ist diese Familie von Fotodioden ideal für Lichtmessungen mit niedriger Intensität.
Fotodioden mit der planaren diffusen Struktur bieten eine niedrigere Kapazität und höhere Ansprechzeit im Vergleich zur Inversionsschichtfamilie. Sie zeigen außerdem Linearität des Fotostroms bis zu höherer Lichteingangsleistung im Vergleich zu den Inversionsschicht-Fotodioden.
Geeignete Anwendungen für die Serie UV Enhanced ist die Überwachung der Verschmutzung, medizintechnische Messtechnik, UV-Belichtungsmesser, Spektroskopie, Wasseraufbereitung und Fluoreszenz.
Merkmale der Serie UV Enhanced:
Inversionsschichten oder planare diffuse Silizium-Fotodioden
Ausgezeichnetes UV-Ansprechen
Fotodioden, OSI Optoelectronics
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