ams OSRAM SIDELED Oberfläche 120 ° Fototransistor Infrarot 7 μs / 80 μA, 2-Pin PLCC

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RS Best.-Nr.:
168-5306
Herst. Teile-Nr.:
SFH 325 FA-3/4
Marke:
ams OSRAM
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Marke

ams OSRAM

Erkannte Spektren

Infrarot

Produkt Typ

Fototransistor

Fallzeit typ.

7μs

Wellenlänge Spitze

980nm

Regelanstiegszeit

7μs

Anzahl der Kanäle

1

Verpackungsart

Band und Rolle

Lichtstrom max.

80μA

Dunkelstrom max.

50nA

Empfindlichkeit-Halbwertswinkel

120 °

Anzahl der Pins

2

Montageart

Oberfläche

Betriebstemperatur min.

-40°C

Gehäusegröße

PLCC

Maximale Betriebstemperatur

100°C

Kollektorstrom

15mA

Normen/Zulassungen

RoHS

Länge

4.2mm

Höhe

3.8mm

Breite

4.2mm

Automobilstandard

Nein

Kollektor-Emitter-Spannung

35V

Serie

SIDELED

Fototransistor SIDELED®-Gehäuse


Diese Produktreihe von NPN-Silizium-Fototransistoren von Osram Opto Semiconductors wird in ihrem SIDELED® -SMD-Gehäuse versandt.

Hohe Linearität

P-LCC-2-Gehäuse

Abmessungen: 4,2 x 4,2 x 3,8 mm

Nur geeignet für IR-Aufschmelzlötung

IR-Fototransistoren, OSRAM Opto Semiconductors


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