ams OSRAM SIDELED Oberfläche 120 ° Fototransistor Infrarot 7 μs / 50 μA, 2-Pin PLCC

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Verpackungsoptionen:
RS Best.-Nr.:
665-5423
Herst. Teile-Nr.:
SFH 325 FA-3-Z
Marke:
ams OSRAM
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Marke

ams OSRAM

Produkt Typ

Fototransistor

Erkannte Spektren

Infrarot

Fallzeit typ.

7μs

Regelanstiegszeit

7μs

Wellenlänge Spitze

980nm

Anzahl der Kanäle

1

Verpackungsart

Band und Rolle

Lichtstrom max.

50μA

Dunkelstrom max.

50nA

Empfindlichkeit-Halbwertswinkel

120 °

Anzahl der Pins

2

Montageart

Oberfläche

Gehäusegröße

PLCC

Betriebstemperatur min.

-40°C

Maximale Betriebstemperatur

100°C

Kollektorstrom

15mA

Höhe

3.8mm

Durchmesser

2.4mm

Normen/Zulassungen

RoHS, IEC 62471 2006

Breite

4.2mm

Länge

4.2mm

Kollektor-Emitter-Spannung

35V

Automobilstandard

Nein

Serie

SIDELED

Ursprungsland:
MY

Fototransistor-SIDELED®-Gehäuse


Diese Familie von NPN-Silizium-Fototransistoren von OSRAM Opto Semiconductors ist in ihrem SIDELED®-Gehäuse für die Oberflächenmontage (SMD) untergebracht.

Hohe Linearität

P-LCC-2-Gehäuse

Abmessungen: 4,2 x 4,2 x 3,8 mm

Nur für Reflow-IR-Löten geeignet

IR-Fototransistoren, OSRAM Opto Semiconductors


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