ams OSRAM TOPLED Oberfläche 120 ° Fototransistor Infrarot 7 μs / 1000 μA, 2-Pin PLCC

Abbildung stellvertretend für Produktreihe

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665-5401P
Herst. Teile-Nr.:
SFH 320 FA-4
Marke:
ams OSRAM
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Marke

ams OSRAM

Produkt Typ

Fototransistor

Erkannte Spektren

Infrarot

Fallzeit typ.

7μs

Wellenlänge Spitze

980nm

Regelanstiegszeit

7μs

Anzahl der Kanäle

1

Verpackungsart

Band und Rolle

Lichtstrom max.

1000μA

Dunkelstrom max.

50nA

Empfindlichkeit-Halbwertswinkel

120 °

Anzahl der Pins

2

Montageart

Oberfläche

Betriebstemperatur min.

-40°C

Gehäusegröße

PLCC

Maximale Betriebstemperatur

100°C

Normen/Zulassungen

RoHS Compliant

Durchmesser

0.45mm

Kollektorstrom

15mA

Breite

3mm

Höhe

2mm

Länge

3.4mm

Kollektor-Emitter-Spannung

35V

Serie

TOPLED

Automobilstandard

Nein

Fototransistor TOPLED®-Gehäuse


Diese NPN-Fototransistoren von Osram Opto Semiconductors sind aus der TOPLED®-Serie. Die TOPLED®-Fototransistoren haben ein SMD-PLCC-2-Gehäuse mit eine klaren oder tageslichtdiffusen Linse.

Merkmale der TOPLED®-Fototransistoren:

Hohe Linearität

PLCC-2-Gehäuse

Oberflächenmontage (SMD)

Halber Winkel: 60°

Geeignet für alle Lötmethoden

IR-Fototransistoren, OSRAM Opto Semiconductors


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