ams OSRAM TOPLED Oberfläche 120 ° Fototransistor Infrarot 7 μs / 1000 μA, 2-Pin PLCC

Abbildung stellvertretend für Produktreihe

Zwischensumme (10 Stück, in einer Packung mit 10)*

CHF 4.14

Add to Basket
Menge auswählen oder eingeben
Nur noch Restbestände
  • Letzte 1'260 Einheit(en) versandfertig von einem anderen Standort
Stück
Pro Stück
Pro Packung*
10 +CHF 0.414CHF 4.13

*Richtpreis

Verpackungsoptionen:
RS Best.-Nr.:
665-5401
Herst. Teile-Nr.:
SFH 320 FA-4
Marke:
ams OSRAM
Finden Sie ähnliche Produkte, indem Sie ein oder mehrere Eigenschaften auswählen.
Alle auswählen

Marke

ams OSRAM

Produkt Typ

Fototransistor

Erkannte Spektren

Infrarot

Fallzeit typ.

7μs

Regelanstiegszeit

7μs

Wellenlänge Spitze

980nm

Anzahl der Kanäle

1

Verpackungsart

Band und Rolle

Lichtstrom max.

1000μA

Dunkelstrom max.

50nA

Empfindlichkeit-Halbwertswinkel

120 °

Anzahl der Pins

2

Montageart

Oberfläche

Betriebstemperatur min.

-40°C

Gehäusegröße

PLCC

Maximale Betriebstemperatur

100°C

Länge

3.4mm

Breite

3mm

Normen/Zulassungen

RoHS Compliant

Kollektorstrom

15mA

Höhe

2mm

Durchmesser

0.45mm

Automobilstandard

Nein

Serie

TOPLED

Kollektor-Emitter-Spannung

35V

Fototransistor TOPLED®-Gehäuse


Diese NPN-Fototransistoren von Osram Opto Semiconductors sind aus der TOPLED®-Serie. Die TOPLED®-Fototransistoren haben ein SMD-PLCC-2-Gehäuse mit eine klaren oder tageslichtdiffusen Linse.

Merkmale der TOPLED®-Fototransistoren:

Hohe Linearität

PLCC-2-Gehäuse

Oberflächenmontage (SMD)

Halber Winkel: 60°

Geeignet für alle Lötmethoden

IR-Fototransistoren, OSRAM Opto Semiconductors


Verwandte Links

Exklusiv für Sie unsere neuesten Produkte und Angebote

E-Mail-Anschrift

Die personenbezogenen Daten, die Sie uns bei Anmeldung zur Verfügung stellen, werden gemäss der Datenschutzerklärung verarbeitet.