onsemi Durchsteckmontage Fototransistor Infrarot 10 μs, 4-Pin Benutzerdefinierte 4L
- RS Best.-Nr.:
- 184-1403
- Herst. Teile-Nr.:
- QRD1114
- Marke:
- onsemi
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- RS Best.-Nr.:
- 184-1403
- Herst. Teile-Nr.:
- QRD1114
- Marke:
- onsemi
Technische Daten
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Produktdetails
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Alle auswählen | Eigenschaft | Wert |
|---|---|---|
| Marke | onsemi | |
| Produkt Typ | Fototransistor | |
| Erkannte Spektren | Infrarot | |
| Fallzeit typ. | 50μs | |
| Wellenlänge Spitze | 940nm | |
| Regelanstiegszeit | 10μs | |
| Verpackungsart | Band und Rolle | |
| Anzahl der Kanäle | 1 | |
| Dunkelstrom max. | 100nA | |
| Anzahl der Pins | 4 | |
| Montageart | Durchsteckmontage | |
| Gehäusegröße | Benutzerdefinierte 4L | |
| Betriebstemperatur min. | -40°C | |
| Maximale Betriebstemperatur | 85°C | |
| Normen/Zulassungen | No | |
| Länge | 4.39mm | |
| Breite | 6.1mm | |
| Kollektorstrom | 1mA | |
| Höhe | 4.65mm | |
| Automobilstandard | Nein | |
| Kollektor-Emitter-Spannung | 30V | |
| Emitter-Kollektor-Spannung | 5V | |
| Alle auswählen | ||
|---|---|---|
Marke onsemi | ||
Produkt Typ Fototransistor | ||
Erkannte Spektren Infrarot | ||
Fallzeit typ. 50μs | ||
Wellenlänge Spitze 940nm | ||
Regelanstiegszeit 10μs | ||
Verpackungsart Band und Rolle | ||
Anzahl der Kanäle 1 | ||
Dunkelstrom max. 100nA | ||
Anzahl der Pins 4 | ||
Montageart Durchsteckmontage | ||
Gehäusegröße Benutzerdefinierte 4L | ||
Betriebstemperatur min. -40°C | ||
Maximale Betriebstemperatur 85°C | ||
Normen/Zulassungen No | ||
Länge 4.39mm | ||
Breite 6.1mm | ||
Kollektorstrom 1mA | ||
Höhe 4.65mm | ||
Automobilstandard Nein | ||
Kollektor-Emitter-Spannung 30V | ||
Emitter-Kollektor-Spannung 5V | ||
- Ursprungsland:
- CN
Der reflektierende Sensor QRD1113/14 besteht aus einer Infrarot-Diode und einem NPN-Silizium-Photo-Darlington, die nebeneinander in einem schwarzen Kunststoffgehäuse montiert sind. Die Achsabstrahlung des Emitters und die Achsreaktion des Detektors sind beide senkrecht zur Oberfläche des QRD1113/14. Der Photo-Darlington reagiert nur dann auf die Strahlung, die von der Diode abgegeben wird, wenn sich ein reflektierendes Objekt oder eine reflektierende Oberfläche im Sichtfeld des Detektors befindet.
Fototransistorausgang
Keine Erkennung der Kontaktfläche
Unfokussiert für die Erkennung von diffusen Oberflächen
Kompaktes Gehäuse
Tageslichtfilter am Sensor
Anwendungen:
Medizinische Elektronik/Geräte
Automation
Prüfung und Messung
Gebäude- und Haussteuerung
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