Vishay BPW17N ±12 ° Fototransistor Sichtbar, Nahinfrarotstrahlung 4.8 μs / 1.0 mA T-3/4

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RS Best.-Nr.:
257-6822
Herst. Teile-Nr.:
BPW17N
Marke:
Vishay
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Marke

Vishay

Produkt Typ

Fototransistor

Erkannte Spektren

Sichtbar, Nahinfrarotstrahlung

Fallzeit typ.

5μs

Regelanstiegszeit

4.8μs

Wellenlänge Spitze

825nm

Verpackungsart

Wolle

Anzahl der Kanäle

1

Lichtstrom max.

1.0mA

Dunkelstrom max.

200nA

Empfindlichkeit-Halbwertswinkel

±12 °

Gehäusegröße

T-3/4

Betriebstemperatur min.

-40°C

Maximale Betriebstemperatur

100°C

Durchmesser

1.8mm

Kollektorstrom

50mA

Normen/Zulassungen

RoHS Directive 2002/95/EC and WEEE 2002/96/EC

Serie

BPW17N

Emitter-Kollektor-Spannung

5V

Kollektor-Emitter-Spannung

32V

Automobilstandard

Nein

Der Silizium-NPN-Fototransistor von Vishay mit hoher Strahlungsempfindlichkeit in einem transparenten T-3/4-Kunststoffgehäuse mit Linse. Es ist empfindlich gegenüber sichtbarer und naher Infrarotstrahlung. Auf der Leiterplatte ermöglicht diese Gehäusegröße die Montage von Arrays mit 2,54 mm Rastermaß.

Hohe Lichtempfindlichkeit

Hohe Strahlungsempfindlichkeit

Geeignet für sichtbare und nahezu Infrarotstrahlung

Schnelle Ansprechzeiten

Winkel der halben Empfindlichkeit: φ = ±12°

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