Vishay VEMT2520 Oberfläche ±15 ° Fototransistor Sichtbares Licht, Infrarot / 9000 μA, 2-Pin Subminiatur
- RS Best.-Nr.:
- 768-9417
- Herst. Teile-Nr.:
- VEMT2520X01
- Marke:
- Vishay
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Technische Daten
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Produktdetails
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Alle auswählen | Eigenschaft | Wert |
|---|---|---|
| Marke | Vishay | |
| Produkt Typ | Fototransistor | |
| Erkannte Spektren | Sichtbares Licht, Infrarot | |
| Wellenlänge Spitze | 850nm | |
| Anzahl der Kanäle | 1 | |
| Lichtstrom max. | 9000μA | |
| Dunkelstrom max. | 100nA | |
| Empfindlichkeit-Halbwertswinkel | ±15 ° | |
| Anzahl der Pins | 2 | |
| Montageart | Oberfläche | |
| Betriebstemperatur min. | -40°C | |
| Gehäusegröße | Subminiatur | |
| Maximale Betriebstemperatur | 100°C | |
| Normen/Zulassungen | RoHS | |
| Breite | 2.3mm | |
| Höhe | 2.77mm | |
| Länge | 2.3mm | |
| Durchmesser | 1.8mm | |
| Kollektorstrom | 50mA | |
| Kollektor-Emitter-Spannung | 20V | |
| Serie | VEMT2520 | |
| Emitter-Kollektor-Spannung | 7V | |
| Automobilstandard | AEC-Q101 | |
| Alle auswählen | ||
|---|---|---|
Marke Vishay | ||
Produkt Typ Fototransistor | ||
Erkannte Spektren Sichtbares Licht, Infrarot | ||
Wellenlänge Spitze 850nm | ||
Anzahl der Kanäle 1 | ||
Lichtstrom max. 9000μA | ||
Dunkelstrom max. 100nA | ||
Empfindlichkeit-Halbwertswinkel ±15 ° | ||
Anzahl der Pins 2 | ||
Montageart Oberfläche | ||
Betriebstemperatur min. -40°C | ||
Gehäusegröße Subminiatur | ||
Maximale Betriebstemperatur 100°C | ||
Normen/Zulassungen RoHS | ||
Breite 2.3mm | ||
Höhe 2.77mm | ||
Länge 2.3mm | ||
Durchmesser 1.8mm | ||
Kollektorstrom 50mA | ||
Kollektor-Emitter-Spannung 20V | ||
Serie VEMT2520 | ||
Emitter-Kollektor-Spannung 7V | ||
Automobilstandard AEC-Q101 | ||
Fototransistoren der Serie VEMT2500 und VEMT2520
Die Serie VEMT2500 und VEMT2520 von Vishay Semiconductor umfasst eine Familie von Silizium-NPN-Fototransistoren. Sie sind in einem transparenten Epoxidharz-Subminiatur-Gehäuse mit einer kuppelförmigen Linse und einer Auswahl von Kabeloptionen erhältlich. Die Fototransistoren der Serie VEMT2500 und VEMT2520 sind empfindlich gegen sichtbare und nahe IR-Strahlung.
Merkmale der Fototransistoren VEMT2500 und VEMT2520:
Subminiatur-Gehäuse
Kabeltypen: Knickflügel (Gull Wing, GW) und umgekehrter Knickflügel (Reverse Gull-Wing, RGW)
Abmessungen: 2,3 x 2,3 x 2,8 mm
Hohe Strahlungsempfindlichkeit
Winkel für halbe Intensität: 15°
Schnelle Ansprechzeiten
Fototransistoren, Vishay Semiconductor
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