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    Infineon FRAM-Speicher 1MBit, 128K x 8 bit 450ns Seriell (2-Draht, I2C) SMD SOIC 8-Pin 2 V bis 3,6 V

    Infineon
    RS Best.-Nr.:
    125-4215
    Herst. Teile-Nr.:
    FM24V10-G
    Marke:
    Infineon
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    Rechtliche Anforderungen


    Produktdetails

    F-RAM, Cypress Semiconductor


    Ferroelectric Random Access Memory (F-RAM) ist energieeffizient und verfügt über die höchste Zuverlässigkeit der nicht flüchtigen RAM-Speicher sowohl für serielle als auch parallele Schnittstellen. Teile mit Suffix A wurden für den Einsatz in der Automobilindustrie konzipiert und sind AEC-Q100-zertifiziert.

    Nicht flüchtiger ferroelektrischer RAM-Speicher
    Hohe Schreibgeschwindigkeit
    Lange Lebensdauer
    Geringer Stromverbrauch


    FRAM (Ferroelectric RAM)


    FRAM (ferroelektrischer Arbeitsspeicher) ist ein nicht flüchtiger Speicher, der eine ferroelektrische Folie als Kondensator zum Speichern von Daten verwendet. Besitzt die Eigenschaften von ROM- und RAM-Elementen. F-RAM zeichnet sich durch Hochgeschwindigkeitszugriff, lange Lebensdauer im Schreibmodus, niedrigen Energieverbrauch, nicht flüchtigen Speicher und hervorragende Manipulationssicherheit aus. FRAM ist daher der ideale Speicher für Smartcards, die hohe Sicherheit und niedrigen Energieverbrauch fordern, ebenso wie für Mobiltelefone und andere Geräte.

    Technische Daten

    Eigenschaft
    Wert
    Speicher Größe1MBit
    Organisation128K x 8 bit
    Interface-TypSeriell (2-Draht, I2C)
    Datenbus-Breite8bit
    Zugriffszeit max.450ns
    Montage-TypSMD
    GehäusegrößeSOIC
    Pinanzahl8
    Abmessungen4.97 x 3.98 x 1.48mm
    Länge4.97mm
    Breite3.98mm
    Arbeitsspannnung max.3,6 V
    Höhe1.48mm
    Betriebstemperatur max.+85 °C
    AutomobilstandardAEC-Q100
    Arbeitsspannnung min.2 V
    Betriebstemperatur min.–40 °C
    Anzahl der Wörter128K
    Anzahl der Bits pro Wort8bit
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