Infineon FRAM-Speicher 1MBit, 128.000 x 8 Bit 18ns SPI SMD SOIC 8-Pin 2 V bis 3,6 V
- RS Best.-Nr.:
- 188-5424
- Herst. Teile-Nr.:
- FM25VN10-G
- Marke:
- Infineon
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|---|---|---|
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- RS Best.-Nr.:
- 188-5424
- Herst. Teile-Nr.:
- FM25VN10-G
- Marke:
- Infineon
Technische Daten
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Produktdetails
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Alle auswählen | Eigenschaft | Wert |
|---|---|---|
| Marke | Infineon | |
| Speicher Größe | 1MBit | |
| Organisation | 128.000 x 8 Bit | |
| Interface-Typ | SPI | |
| Datenbus-Breite | 8bit | |
| Zugriffszeit max. | 18ns | |
| Montage-Typ | SMD | |
| Gehäusegröße | SOIC | |
| Pinanzahl | 8 | |
| Abmessungen | 4.97 x 3.98 x 1.48mm | |
| Länge | 4.97mm | |
| Arbeitsspannnung max. | 3,6 V | |
| Breite | 3.98mm | |
| Höhe | 1.48mm | |
| Betriebstemperatur max. | +85 °C | |
| Anzahl der Bits pro Wort | 8bit | |
| Automobilstandard | AEC-Q100 | |
| Anzahl der Wörter | 128k | |
| Betriebstemperatur min. | –40 °C | |
| Arbeitsspannnung min. | 2 V | |
| Alle auswählen | ||
|---|---|---|
Marke Infineon | ||
Speicher Größe 1MBit | ||
Organisation 128.000 x 8 Bit | ||
Interface-Typ SPI | ||
Datenbus-Breite 8bit | ||
Zugriffszeit max. 18ns | ||
Montage-Typ SMD | ||
Gehäusegröße SOIC | ||
Pinanzahl 8 | ||
Abmessungen 4.97 x 3.98 x 1.48mm | ||
Länge 4.97mm | ||
Arbeitsspannnung max. 3,6 V | ||
Breite 3.98mm | ||
Höhe 1.48mm | ||
Betriebstemperatur max. +85 °C | ||
Anzahl der Bits pro Wort 8bit | ||
Automobilstandard AEC-Q100 | ||
Anzahl der Wörter 128k | ||
Betriebstemperatur min. –40 °C | ||
Arbeitsspannnung min. 2 V | ||
- Ursprungsland:
- US
FRAM, Cypress-Halbleiter
Ferroelectric Random Access Memory (F-RAM) ist energieeffizient und verfügt über die höchste Zuverlässigkeit der nicht flüchtigen RAM-Speicher sowohl für serielle als auch parallele Schnittstellen. Teile mit Suffix A wurden für den Einsatz in der Automobilindustrie konzipiert und sind AEC-Q100-zertifiziert.
Nicht flüchtiger ferroelektrischer RAM-Speicher
Hohe Schreibgeschwindigkeit
Lange Lebensdauer
Geringer Stromverbrauch
Hohe Schreibgeschwindigkeit
Lange Lebensdauer
Geringer Stromverbrauch
1 Mbit ferroelektrischer Random Access Memory (F-RAM), logisch organisiert als 128K x 8
Langlebige Lese-/Schreibvorgänge von 100 Trillion (1014)
151 Jahre Datenspeicherung
NODELAY ® schreibt
Advanced hochzuverlässiger ferroelektrischer Prozess
Sehr schnelle serielle Peripherieschnittstelle (SPI)
Bis zu 40 MHz Frequenz
Direkter Hardware-Ersatz für serielles Flash und EEPROM
Unterstützt SPI-Modus 0 (0, 0) und Modus 3 (1, 1)
Ausgeklügeltes Schreibschutzschema
Hardware-Schutz mit dem Schreibschutzstift (WP)
Softwareschutz mit Schreib-Disable-Befehl
Software-Blockschutz für 1/4, 1/2 oder gesamtes Array
Geräte-ID und Seriennummer
Hersteller-ID und Produkt-ID
Eindeutige Seriennummer (FM25VN10)
Geringer Stromverbrauch
300 μA Wirkstrom bei 1 MHz
90 μA (typ.) Standby-Strom
5 μA Ruhestrom
Niederspannungsbetrieb: VDD = 2,0 V bis 3,6 V
Industrietemperatur: -40 °C bis +85 °C.
Gehäuse
8-poliges SOIC-Gehäuse (Small Outline Integrated Circuit)
8-poliges zweifaches DFN-Gehäuse (Flat No-Lead)
Langlebige Lese-/Schreibvorgänge von 100 Trillion (1014)
151 Jahre Datenspeicherung
NODELAY ® schreibt
Advanced hochzuverlässiger ferroelektrischer Prozess
Sehr schnelle serielle Peripherieschnittstelle (SPI)
Bis zu 40 MHz Frequenz
Direkter Hardware-Ersatz für serielles Flash und EEPROM
Unterstützt SPI-Modus 0 (0, 0) und Modus 3 (1, 1)
Ausgeklügeltes Schreibschutzschema
Hardware-Schutz mit dem Schreibschutzstift (WP)
Softwareschutz mit Schreib-Disable-Befehl
Software-Blockschutz für 1/4, 1/2 oder gesamtes Array
Geräte-ID und Seriennummer
Hersteller-ID und Produkt-ID
Eindeutige Seriennummer (FM25VN10)
Geringer Stromverbrauch
300 μA Wirkstrom bei 1 MHz
90 μA (typ.) Standby-Strom
5 μA Ruhestrom
Niederspannungsbetrieb: VDD = 2,0 V bis 3,6 V
Industrietemperatur: -40 °C bis +85 °C.
Gehäuse
8-poliges SOIC-Gehäuse (Small Outline Integrated Circuit)
8-poliges zweifaches DFN-Gehäuse (Flat No-Lead)
FRAM (Ferroelectric RAM)
FRAM (ferroelektrischer Arbeitsspeicher) ist ein nicht flüchtiger Speicher, der eine ferroelektrische Folie als Kondensator zum Speichern von Daten verwendet. Besitzt die Eigenschaften von ROM- und RAM-Elementen. F-RAM zeichnet sich durch Hochgeschwindigkeitszugriff, lange Lebensdauer im Schreibmodus, niedrigen Energieverbrauch, nicht flüchtigen Speicher und hervorragende Manipulationssicherheit aus. FRAM ist daher der ideale Speicher für Smartcards, die hohe Sicherheit und niedrigen Energieverbrauch fordern, ebenso wie für Mobiltelefone und andere Geräte.
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