Infineon FRAM 8 MB 0 ns Seriell-SPI Oberfläche SOIC 8-Pin
- RS Best.-Nr.:
- 273-5268
- Herst. Teile-Nr.:
- CY15B108QN-40SXI
- Marke:
- Infineon
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- RS Best.-Nr.:
- 273-5268
- Herst. Teile-Nr.:
- CY15B108QN-40SXI
- Marke:
- Infineon
Technische Daten
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Produktdetails
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Alle auswählen | Eigenschaft | Wert |
|---|---|---|
| Marke | Infineon | |
| Speicher Größe | 8MB | |
| Produkt Typ | FRAM | |
| Schnittstellentyp | Seriell-SPI | |
| Datenbus-Breite | 8bit | |
| Zugriffszeit max. | 0ns | |
| Montageart | Oberfläche | |
| Taktfrequenz max. | 40MHz | |
| Gehäusegröße | SOIC | |
| Pinanzahl | 8 | |
| Breite | 5.33mm | |
| Länge | 8.26mm | |
| Normen/Zulassungen | RoHS | |
| Höhe | 2.03mm | |
| Maximale Betriebstemperatur | 120°C | |
| Maximale Versorgungsspannung | 3.6V | |
| Automobilstandard | Nein | |
| Anzahl der Wörter | 1048576 | |
| Minimale Versorgungsspannung | 3V | |
| Betriebstemperatur min. | -40°C | |
| Anzahl der Bits pro Wort | 8 | |
| Alle auswählen | ||
|---|---|---|
Marke Infineon | ||
Speicher Größe 8MB | ||
Produkt Typ FRAM | ||
Schnittstellentyp Seriell-SPI | ||
Datenbus-Breite 8bit | ||
Zugriffszeit max. 0ns | ||
Montageart Oberfläche | ||
Taktfrequenz max. 40MHz | ||
Gehäusegröße SOIC | ||
Pinanzahl 8 | ||
Breite 5.33mm | ||
Länge 8.26mm | ||
Normen/Zulassungen RoHS | ||
Höhe 2.03mm | ||
Maximale Betriebstemperatur 120°C | ||
Maximale Versorgungsspannung 3.6V | ||
Automobilstandard Nein | ||
Anzahl der Wörter 1048576 | ||
Minimale Versorgungsspannung 3V | ||
Betriebstemperatur min. -40°C | ||
Anzahl der Bits pro Wort 8 | ||
Der FRAM-Speicher von Infineon ist ein energiesparender, nicht flüchtiger 8-Mbit-Speicher mit einem fortschrittlichen ferroelektrischen Prozess. Ein ferroelektrischer Zufallszugriffsspeicher oder FRAM ist nicht flüchtig und liest und schreibt ähnlich wie ein RAM. Es bietet eine zuverlässige Datenspeicherung für 151 Jahre und beseitigt gleichzeitig die Komplexität, Überlastung und Zuverlässigkeitsprobleme auf Systemebene, die durch serielle Flash-, EEPROM- und andere nicht flüchtige Speicher verursacht werden.
RoHS-konform
Niederspannungsbetrieb
Geringer Stromverbrauch
Schnelle serielle Peripherie-Schnittstelle
Dedizierter 256-Byte-Spezialsektor-FRAM
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