Infineon FRAM 8 MB, 1024K x 8 0 ns Seriell-SPI Oberfläche SOIC 8-Pin
- RS Best.-Nr.:
- 273-5267
- Herst. Teile-Nr.:
- CY15B108QN-40SXI
- Marke:
- Infineon
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- RS Best.-Nr.:
- 273-5267
- Herst. Teile-Nr.:
- CY15B108QN-40SXI
- Marke:
- Infineon
Technische Daten
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Produktdetails
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Alle auswählen | Eigenschaft | Wert |
|---|---|---|
| Marke | Infineon | |
| Produkt Typ | FRAM | |
| Speicher Größe | 8MB | |
| Organisation | 1024K x 8 | |
| Schnittstellentyp | Seriell-SPI | |
| Datenbus-Breite | 8bit | |
| Zugriffszeit max. | 0ns | |
| Taktfrequenz max. | 40MHz | |
| Montageart | Oberfläche | |
| Gehäusegröße | SOIC | |
| Pinanzahl | 8 | |
| Länge | 8.26mm | |
| Normen/Zulassungen | RoHS | |
| Höhe | 2.03mm | |
| Breite | 5.33 mm | |
| Maximale Betriebstemperatur | 120°C | |
| Automobilstandard | Nein | |
| Minimale Versorgungsspannung | 3V | |
| Anzahl der Bits pro Wort | 8 | |
| Betriebstemperatur min. | -40°C | |
| Anzahl der Wörter | 1048576 | |
| Maximale Versorgungsspannung | 3.6V | |
| Alle auswählen | ||
|---|---|---|
Marke Infineon | ||
Produkt Typ FRAM | ||
Speicher Größe 8MB | ||
Organisation 1024K x 8 | ||
Schnittstellentyp Seriell-SPI | ||
Datenbus-Breite 8bit | ||
Zugriffszeit max. 0ns | ||
Taktfrequenz max. 40MHz | ||
Montageart Oberfläche | ||
Gehäusegröße SOIC | ||
Pinanzahl 8 | ||
Länge 8.26mm | ||
Normen/Zulassungen RoHS | ||
Höhe 2.03mm | ||
Breite 5.33 mm | ||
Maximale Betriebstemperatur 120°C | ||
Automobilstandard Nein | ||
Minimale Versorgungsspannung 3V | ||
Anzahl der Bits pro Wort 8 | ||
Betriebstemperatur min. -40°C | ||
Anzahl der Wörter 1048576 | ||
Maximale Versorgungsspannung 3.6V | ||
Der FRAM-Speicher von Infineon ist ein energiesparender, nicht flüchtiger 8-Mbit-Speicher mit einem fortschrittlichen ferroelektrischen Prozess. Ein ferroelektrischer Zufallszugriffsspeicher oder FRAM ist nicht flüchtig und liest und schreibt ähnlich wie ein RAM. Es bietet eine zuverlässige Datenspeicherung für 151 Jahre und beseitigt gleichzeitig die Komplexität, Überlastung und Zuverlässigkeitsprobleme auf Systemebene, die durch serielle Flash-, EEPROM- und andere nicht flüchtige Speicher verursacht werden.
RoHS-konform
Niederspannungsbetrieb
Geringer Stromverbrauch
Schnelle serielle Peripherie-Schnittstelle
Dedizierter 256-Byte-Spezialsektor-FRAM
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