Infineon FRAM 8 MB, 1024K x 8 0 ns Seriell-SPI Oberfläche SOIC 8-Pin
- RS Best.-Nr.:
- 273-5267
- Herst. Teile-Nr.:
- CY15B108QN-40SXI
- Marke:
- Infineon
Abbildung stellvertretend für Produktreihe
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Stück | Pro Stück | Pro Stange* |
|---|---|---|
| 94 + | CHF.12.948 | CHF.1'216.75 |
*Richtpreis
- RS Best.-Nr.:
- 273-5267
- Herst. Teile-Nr.:
- CY15B108QN-40SXI
- Marke:
- Infineon
Technische Daten
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Rechtliche Anforderungen
Produktdetails
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Alle auswählen | Eigenschaft | Wert |
|---|---|---|
| Marke | Infineon | |
| Produkt Typ | FRAM | |
| Speicher Größe | 8MB | |
| Schnittstellentyp | Seriell-SPI | |
| Datenbus-Breite | 8bit | |
| Zugriffszeit max. | 0ns | |
| Montageart | Oberfläche | |
| Taktfrequenz max. | 40MHz | |
| Gehäusegröße | SOIC | |
| Pinanzahl | 8 | |
| Länge | 8.26mm | |
| Höhe | 2.03mm | |
| Normen/Zulassungen | RoHS | |
| Maximale Betriebstemperatur | 120°C | |
| Betriebstemperatur min. | -40°C | |
| Automobilstandard | Nein | |
| Anzahl der Wörter | 1048576 | |
| Maximale Versorgungsspannung | 3.6V | |
| Anzahl der Bits pro Wort | 8 | |
| Minimale Versorgungsspannung | 3V | |
| Alle auswählen | ||
|---|---|---|
Marke Infineon | ||
Produkt Typ FRAM | ||
Speicher Größe 8MB | ||
Schnittstellentyp Seriell-SPI | ||
Datenbus-Breite 8bit | ||
Zugriffszeit max. 0ns | ||
Montageart Oberfläche | ||
Taktfrequenz max. 40MHz | ||
Gehäusegröße SOIC | ||
Pinanzahl 8 | ||
Länge 8.26mm | ||
Höhe 2.03mm | ||
Normen/Zulassungen RoHS | ||
Maximale Betriebstemperatur 120°C | ||
Betriebstemperatur min. -40°C | ||
Automobilstandard Nein | ||
Anzahl der Wörter 1048576 | ||
Maximale Versorgungsspannung 3.6V | ||
Anzahl der Bits pro Wort 8 | ||
Minimale Versorgungsspannung 3V | ||
Der FRAM-Speicher von Infineon ist ein energiesparender, nicht flüchtiger 8-Mbit-Speicher mit einem fortschrittlichen ferroelektrischen Prozess. Ein ferroelektrischer Zufallszugriffsspeicher oder FRAM ist nicht flüchtig und liest und schreibt ähnlich wie ein RAM. Es bietet eine zuverlässige Datenspeicherung für 151 Jahre und beseitigt gleichzeitig die Komplexität, Überlastung und Zuverlässigkeitsprobleme auf Systemebene, die durch serielle Flash-, EEPROM- und andere nicht flüchtige Speicher verursacht werden.
RoHS-konform
Niederspannungsbetrieb
Geringer Stromverbrauch
Schnelle serielle Peripherie-Schnittstelle
Dedizierter 256-Byte-Spezialsektor-FRAM
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