Infineon FRAM-Speicher 2MBit, 256 kB x 8 11ns Seriell-SPI SMD DFN 8-Pin 2 V bis 3,6 V
- RS Best.-Nr.:
- 181-1599
- Herst. Teile-Nr.:
- FM25V20A-DGQ
- Marke:
- Infineon
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|---|---|
| 1 - 4 | CHF.16.81 |
| 5 - 24 | CHF.13.78 |
| 25 - 49 | CHF.13.42 |
| 50 - 99 | CHF.13.08 |
| 100 + | CHF.12.76 |
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- RS Best.-Nr.:
- 181-1599
- Herst. Teile-Nr.:
- FM25V20A-DGQ
- Marke:
- Infineon
Technische Daten
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Produktdetails
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Alle auswählen | Eigenschaft | Wert |
|---|---|---|
| Marke | Infineon | |
| Speicher Größe | 2MBit | |
| Organisation | 256 kB x 8 | |
| Interface-Typ | Seriell-SPI | |
| Datenbus-Breite | 8bit | |
| Zugriffszeit max. | 11ns | |
| Montage-Typ | SMD | |
| Gehäusegröße | DFN | |
| Pinanzahl | 8 | |
| Abmessungen | 6 x 5 x 0.7mm | |
| Länge | 5mm | |
| Breite | 6mm | |
| Arbeitsspannnung max. | 3,6 V | |
| Höhe | 0.7mm | |
| Betriebstemperatur max. | +105 °C | |
| Betriebstemperatur min. | –40 °C | |
| Anzahl der Wörter | 256K | |
| Anzahl der Bits pro Wort | 8bit | |
| Arbeitsspannnung min. | 2 V | |
| Alle auswählen | ||
|---|---|---|
Marke Infineon | ||
Speicher Größe 2MBit | ||
Organisation 256 kB x 8 | ||
Interface-Typ Seriell-SPI | ||
Datenbus-Breite 8bit | ||
Zugriffszeit max. 11ns | ||
Montage-Typ SMD | ||
Gehäusegröße DFN | ||
Pinanzahl 8 | ||
Abmessungen 6 x 5 x 0.7mm | ||
Länge 5mm | ||
Breite 6mm | ||
Arbeitsspannnung max. 3,6 V | ||
Höhe 0.7mm | ||
Betriebstemperatur max. +105 °C | ||
Betriebstemperatur min. –40 °C | ||
Anzahl der Wörter 256K | ||
Anzahl der Bits pro Wort 8bit | ||
Arbeitsspannnung min. 2 V | ||
2 Mbit ferroelektrischer Random Access Memory (F-RAM) logisch
Organisiert als 256 K x 8
10 Trillionen (1014) Lesen/Schreiben mit hoher Lebensdauer
121 Jahre Datenspeicherung
NODELAY ® schreibt
Advanced hochzuverlässiger ferroelektrischer Prozess
Sehr schnelle serielle Peripherieschnittstelle (SPI)
Bis zu 33 MHz Frequenz
Direkter Hardware-Ersatz für serielles Flash und EEPROM
Unterstützt SPI-Modus 0 (0, 0) und Modus 3 (1, 1)
Ausgeklügeltes Schreibschutzschema
Hardware-Schutz mit dem Schreibschutzstift (WP)
Softwareschutz mit Schreib-Disable-Befehl
Software-Blockschutz für 1/4, 1/2 oder gesamtes Array
Geräte-ID
Hersteller-ID und Produkt-ID
Geringer Stromverbrauch
3 mA Wirkstrom bei 33 MHz
Standby-Strom: 400° 1 A
12° A Ruhestrom
Niederspannungsbetrieb: VDD = 2,0 V bis 3,6 V
Erweiterte Temperatur: -40 °C bis +105 °C.
8-poliges, dünnes, flaches DFN-Gehäuse (Dual Flat No Lead)
Organisiert als 256 K x 8
10 Trillionen (1014) Lesen/Schreiben mit hoher Lebensdauer
121 Jahre Datenspeicherung
NODELAY ® schreibt
Advanced hochzuverlässiger ferroelektrischer Prozess
Sehr schnelle serielle Peripherieschnittstelle (SPI)
Bis zu 33 MHz Frequenz
Direkter Hardware-Ersatz für serielles Flash und EEPROM
Unterstützt SPI-Modus 0 (0, 0) und Modus 3 (1, 1)
Ausgeklügeltes Schreibschutzschema
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Software-Blockschutz für 1/4, 1/2 oder gesamtes Array
Geräte-ID
Hersteller-ID und Produkt-ID
Geringer Stromverbrauch
3 mA Wirkstrom bei 33 MHz
Standby-Strom: 400° 1 A
12° A Ruhestrom
Niederspannungsbetrieb: VDD = 2,0 V bis 3,6 V
Erweiterte Temperatur: -40 °C bis +105 °C.
8-poliges, dünnes, flaches DFN-Gehäuse (Dual Flat No Lead)
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