Infineon FRAM-Speicher 4MBit, 512 kB x 8 16ns Seriell-SPI SMD DFN 8-Pin 2 V bis 3,6 V
- RS Best.-Nr.:
- 181-1574
- Herst. Teile-Nr.:
- CY15B104Q-LHXI
- Marke:
- Infineon
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|---|---|
| 1 - 4 | CHF.23.53 |
| 5 - 24 | CHF.19.51 |
| 25 - 49 | CHF.18.92 |
| 50 - 99 | CHF.18.61 |
| 100 + | CHF.18.19 |
*Richtpreis
- RS Best.-Nr.:
- 181-1574
- Herst. Teile-Nr.:
- CY15B104Q-LHXI
- Marke:
- Infineon
Technische Daten
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Produktdetails
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Alle auswählen | Eigenschaft | Wert |
|---|---|---|
| Marke | Infineon | |
| Speicher Größe | 4MBit | |
| Organisation | 512 kB x 8 | |
| Interface-Typ | Seriell-SPI | |
| Datenbus-Breite | 8bit | |
| Zugriffszeit max. | 16ns | |
| Montage-Typ | SMD | |
| Gehäusegröße | DFN | |
| Pinanzahl | 8 | |
| Abmessungen | 6 x 5 x 0.7mm | |
| Länge | 5mm | |
| Breite | 6mm | |
| Arbeitsspannnung max. | 3,6 V | |
| Höhe | 0.7mm | |
| Betriebstemperatur max. | +85 °C | |
| Arbeitsspannnung min. | 2 V | |
| Anzahl der Bits pro Wort | 8bit | |
| Anzahl der Wörter | 512K | |
| Betriebstemperatur min. | –40 °C | |
| Alle auswählen | ||
|---|---|---|
Marke Infineon | ||
Speicher Größe 4MBit | ||
Organisation 512 kB x 8 | ||
Interface-Typ Seriell-SPI | ||
Datenbus-Breite 8bit | ||
Zugriffszeit max. 16ns | ||
Montage-Typ SMD | ||
Gehäusegröße DFN | ||
Pinanzahl 8 | ||
Abmessungen 6 x 5 x 0.7mm | ||
Länge 5mm | ||
Breite 6mm | ||
Arbeitsspannnung max. 3,6 V | ||
Höhe 0.7mm | ||
Betriebstemperatur max. +85 °C | ||
Arbeitsspannnung min. 2 V | ||
Anzahl der Bits pro Wort 8bit | ||
Anzahl der Wörter 512K | ||
Betriebstemperatur min. –40 °C | ||
4 Mbit ferroelektrischer Random Access Memory (F-RAM) logisch
Organisiert als 512 K x 8
Langlebige Lese-/Schreibvorgänge von 100 Trillion (1014)
151 Jahre Datenspeicherung
NODELAY ® schreibt
Advanced hochzuverlässiger ferroelektrischer Prozess
Sehr schnelle serielle Peripherieschnittstelle (SPI)
Bis zu 40 MHz Frequenz
Direkter Hardware-Ersatz für serielles Flash und EEPROM
Unterstützt SPI-Modus 0 (0, 0) und Modus 3 (1, 1)
Ausgeklügeltes Schreibschutzschema
Hardware-Schutz mit dem Schreibschutzstift (WP)
Softwareschutz mit Schreib-Disable-Befehl
Software-Blockschutz für 1/4, 1/2 oder gesamtes Array
Geräte-ID
Hersteller-ID und Produkt-ID
Geringer Stromverbrauch
300° A Wirkstrom bei 1 MHz
100° A (typ.) Standby-Strom
Schlafmodusstrom: 3° A (typ.)
Niederspannungsbetrieb: VDD = 2,0 V bis 3,6 V
Industrietemperatur: -40 °C bis +85 °C.
Gehäuse
8-poliges SOIC-Gehäuse (Small Outline Integrated Circuit)
8-poliges dünnes, flaches Gehäuse ohne Kabel (TDFN)
Organisiert als 512 K x 8
Langlebige Lese-/Schreibvorgänge von 100 Trillion (1014)
151 Jahre Datenspeicherung
NODELAY ® schreibt
Advanced hochzuverlässiger ferroelektrischer Prozess
Sehr schnelle serielle Peripherieschnittstelle (SPI)
Bis zu 40 MHz Frequenz
Direkter Hardware-Ersatz für serielles Flash und EEPROM
Unterstützt SPI-Modus 0 (0, 0) und Modus 3 (1, 1)
Ausgeklügeltes Schreibschutzschema
Hardware-Schutz mit dem Schreibschutzstift (WP)
Softwareschutz mit Schreib-Disable-Befehl
Software-Blockschutz für 1/4, 1/2 oder gesamtes Array
Geräte-ID
Hersteller-ID und Produkt-ID
Geringer Stromverbrauch
300° A Wirkstrom bei 1 MHz
100° A (typ.) Standby-Strom
Schlafmodusstrom: 3° A (typ.)
Niederspannungsbetrieb: VDD = 2,0 V bis 3,6 V
Industrietemperatur: -40 °C bis +85 °C.
Gehäuse
8-poliges SOIC-Gehäuse (Small Outline Integrated Circuit)
8-poliges dünnes, flaches Gehäuse ohne Kabel (TDFN)
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