Infineon FRAM 2 MB, 256kB x 8 Bit 11 ns SPI Oberfläche DFN 8-Pin

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RS Best.-Nr.:
181-1554
Herst. Teile-Nr.:
FM25V20A-DGQ
Marke:
Infineon
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Marke

Infineon

Produkt Typ

FRAM

Speicher Größe

2MB

Organisation

256kB x 8 Bit

Schnittstellentyp

SPI

Datenbus-Breite

8bit

Zugriffszeit max.

11ns

Taktfrequenz max.

40MHz

Montageart

Oberfläche

Gehäusegröße

DFN

Pinanzahl

8

Höhe

0.75mm

Breite

4 mm

Länge

4.5mm

Normen/Zulassungen

No

Maximale Betriebstemperatur

105°C

Anzahl der Bits pro Wort

8

Minimale Versorgungsspannung

2V

Betriebstemperatur min.

-40°C

Automobilstandard

AEC-Q100

Maximale Versorgungsspannung

3.6V

Anzahl der Wörter

256K

2 Mbit ferroelektrischer Random Access Memory (F-RAM) logisch

Organisiert als 256 K x 8

10 Trillionen (1014) Lesen/Schreiben mit hoher Lebensdauer

121 Jahre Datenspeicherung

NODELAY ® schreibt

Advanced hochzuverlässiger ferroelektrischer Prozess

Sehr schnelle serielle Peripherieschnittstelle (SPI)

Bis zu 33 MHz Frequenz

Direkter Hardware-Ersatz für serielles Flash und EEPROM

Unterstützt SPI-Modus 0 (0, 0) und Modus 3 (1, 1)

Ausgeklügeltes Schreibschutzschema

Hardware-Schutz mit dem Schreibschutzstift (WP)

Softwareschutz mit Schreib-Disable-Befehl

Software-Blockschutz für 1/4, 1/2 oder gesamtes Array

Geräte-ID

Hersteller-ID und Produkt-ID

Geringer Stromverbrauch

3 mA Wirkstrom bei 33 MHz

Standby-Strom: 400° 1 A

12° A Ruhestrom

Niederspannungsbetrieb: VDD = 2,0 V bis 3,6 V

Erweiterte Temperatur: -40 °C bis +105 °C.

8-poliges, dünnes, flaches DFN-Gehäuse (Dual Flat No Lead)

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