Infineon FRAM 2 MB, 256k x 8 Bit 9 ns SPI Oberfläche SOIC 8-Pin

RS Best.-Nr.:: 188-3437
Herst. Teile-Nr.:: CY15V102QN-50SXE
Marke:: Infineon

Infineon FRAM 2 MB, 256k x 8 Bit 9 ns SPI Oberfläche SOIC 8-Pin

Abbildung stellvertretend für Produktreihe

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Stück	Pro Stück	Pro Stange*
94 - 94	CHF.10.689	CHF.1’004.37
188 - 188	CHF.10.406	CHF.978.32
282 - 470	CHF.10.143	CHF.953.15
564 +	CHF.9.881	CHF.929.06

*Richtpreis

RS Best.-Nr.:: 188-3437
Herst. Teile-Nr.:: CY15V102QN-50SXE
Marke:: Infineon

Technische Daten

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Rechtliche Anforderungen

Produktdetails

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Alle auswählen	Eigenschaft	Wert
	Marke	Infineon
	Produkt Typ	FRAM
	Speicher Größe	2MB
	Organisation	256k x 8 Bit
	Schnittstellentyp	SPI
	Datenbus-Breite	8bit
	Zugriffszeit max.	9ns
	Taktfrequenz max.	50MHz
	Montageart	Oberfläche
	Gehäusegröße	SOIC
	Pinanzahl	8
	Breite	5.3 mm
	Länge	5.3mm
	Normen/Zulassungen	No
	Höhe	1.78mm
	Maximale Betriebstemperatur	125°C
	Automobilstandard	AEC-Q100
	Anzahl der Bits pro Wort	8
	Maximale Versorgungsspannung	1.89V
	Minimale Versorgungsspannung	1.71V
	Betriebstemperatur min.	-40°C
	Anzahl der Wörter	256K

	Alle auswählen
	Marke Infineon
	Produkt Typ FRAM
	Speicher Größe 2MB
	Organisation 256k x 8 Bit
	Schnittstellentyp SPI
	Datenbus-Breite 8bit
	Zugriffszeit max. 9ns
	Taktfrequenz max. 50MHz
	Montageart Oberfläche
	Gehäusegröße SOIC
	Pinanzahl 8
	Breite 5.3 mm
	Länge 5.3mm
	Normen/Zulassungen No
	Höhe 1.78mm
	Maximale Betriebstemperatur 125°C
	Automobilstandard AEC-Q100
	Anzahl der Bits pro Wort 8
	Maximale Versorgungsspannung 1.89V
	Minimale Versorgungsspannung 1.71V
	Betriebstemperatur min. -40°C
	Anzahl der Wörter 256K

Datasheet CY15V102QN-50SXE

2 Mbit ferroelektrischer Random Access Memory (F-RAM), logisch organisiert als 256 K x 8

Praktisch unbegrenzte Lebensdauer von 10 Trillionen (1013) Lese-/Schreibzyklen

121 Jahre Datenspeicherung

NODELAY ® schreibt

Advanced hochzuverlässiger ferroelektrischer Prozess

Schnelle serielle Peripherieschnittstelle (SPI)

Bis zu 50 MHz Frequenz

Unterstützt SPI-Modus 0 (0, 0) und Modus 3 (1, 1)

Ausgeklügeltes Schreibschutzschema

Hardware-Schutz mit dem Schreibschutzstift (WP)

Softwareschutz mit Schreibsperre (WRDI)

Software-Blockschutz für 1/4, 1/2 oder gesamtes Array

Geräte-ID und Seriennummer

Geräte-ID umfasst Hersteller-ID und Produkt-ID

Eindeutige ID

Seriennummer

Dedizierter 256-Byte-Spezialsektor-F-RAM

Dedizierter spezieller Sektor zum Schreiben und Lesen

Der gespeicherte Inhalt kann bis zu 3 Standard-Reflow-Lötzyklen überstehen

Geringer Stromverbrauch

3,7 mA (typ.) Wirkstrom bei 40 MHz

2,7 μA (typ.) Standby-Strom

1,1 μA (typ.) Deep-Power-Down-Mode-Strom

0,1 μA (typ.) Hibernate Mode Strom

Niederspannungsbetrieb:

CY15V102QN: VDD = 1,71 V bis 1,89 V

CY15B102QN: VDD = 1,8 V bis 3,6 V

Fahrzeugbetriebstemperatur: -40 °C bis +125 °C.

AEC-Q100 Klasse 1-konform

8-poliges SOIC-Gehäuse (Small Outline Integrated Circuit)

Infineon FRAM 2 MB, 256k x 8 Bit 9 ns SPI Oberfläche SOIC 8-Pin

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