Infineon FRAM 256 kB, 32K x 8 Bit 3000 ns 2-adriger I2C Oberfläche SOIC 8-Pin

Abbildung stellvertretend für Produktreihe

Alle FRAM anzeigen
Mengenrabatt verfügbar

Zwischensumme (1 Stück)*

CHF.4.599

Add to Basket
Menge auswählen oder eingeben
Auf Lager
  • 26 Einheit(en) versandfertig von einem anderen Standort
  • Zusätzlich 950 Einheit(en) mit Versand ab 09. April 2026
Sie benötigen mehr? Benötigte Menge eingeben und auf „Lieferverfügbarkeit überprüfen“ klicken.
Stück
Pro Stück
1 - 9CHF.4.60
10 - 49CHF.3.63
50 - 99CHF.3.53
100 - 499CHF.3.44
500 +CHF.3.35

*Richtpreis

Verpackungsoptionen:
RS Best.-Nr.:
125-4217
Herst. Teile-Nr.:
FM24W256-G
Marke:
Infineon
Finden Sie ähnliche Produkte, indem Sie ein oder mehrere Eigenschaften auswählen.
Alle auswählen

Marke

Infineon

Speicher Größe

256kB

Produkt Typ

FRAM

Organisation

32K x 8 Bit

Schnittstellentyp

2-adriger I2C

Datenbus-Breite

8bit

Zugriffszeit max.

3000ns

Taktfrequenz max.

1MHz

Montageart

Oberfläche

Gehäusegröße

SOIC

Pinanzahl

8

Normen/Zulassungen

No

Länge

4.97mm

Höhe

1.38mm

Breite

3.98 mm

Maximale Betriebstemperatur

85°C

Betriebstemperatur min.

-40°C

Anzahl der Bits pro Wort

8

Automobilstandard

AEC-Q100

Anzahl der Wörter

32k

Minimale Versorgungsspannung

2.7V

Maximale Versorgungsspannung

5.5V

FRAM, Cypress-Halbleiter


Ferroelectric Random Access Memory (F-RAM) ist energieeffizient und verfügt über die höchste Zuverlässigkeit der nicht flüchtigen RAM-Speicher sowohl für serielle als auch parallele Schnittstellen. Teile mit Suffix A wurden für den Einsatz in der Automobilindustrie konzipiert und sind AEC-Q100-zertifiziert.

Nicht flüchtiger ferroelektrischer RAM-Speicher

Hohe Schreibgeschwindigkeit

Lange Lebensdauer

Geringer Stromverbrauch

FRAM (Ferroelectric RAM)


FRAM (ferroelektrischer Arbeitsspeicher) ist ein nicht flüchtiger Speicher, der eine ferroelektrische Folie als Kondensator zum Speichern von Daten verwendet. Besitzt die Eigenschaften von ROM- und RAM-Elementen. F-RAM zeichnet sich durch Hochgeschwindigkeitszugriff, lange Lebensdauer im Schreibmodus, niedrigen Energieverbrauch, nicht flüchtigen Speicher und hervorragende Manipulationssicherheit aus. FRAM ist daher der ideale Speicher für Smartcards, die hohe Sicherheit und niedrigen Energieverbrauch fordern, ebenso wie für Mobiltelefone und andere Geräte.

Verwandte Links