Infineon FRAM 256 kB, 32k x 8 bit 70 ns Oberfläche SOIC-28 28-Pin
- RS Best.-Nr.:
- 273-5303
- Herst. Teile-Nr.:
- FM18W08-SGTR
- Marke:
- Infineon
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- 273-5303
- Herst. Teile-Nr.:
- FM18W08-SGTR
- Marke:
- Infineon
Technische Daten
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Produktdetails
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Alle auswählen | Eigenschaft | Wert |
|---|---|---|
| Marke | Infineon | |
| Speicher Größe | 256kB | |
| Produkt Typ | FRAM | |
| Organisation | 32k x 8 bit | |
| Datenbus-Breite | 8bit | |
| Zugriffszeit max. | 70ns | |
| Montageart | Oberfläche | |
| Gehäusegröße | SOIC-28 | |
| Pinanzahl | 28 | |
| Normen/Zulassungen | RoHS | |
| Maximale Betriebstemperatur | 85°C | |
| Minimale Versorgungsspannung | 2.7V | |
| Anzahl der Wörter | 32k | |
| Maximale Versorgungsspannung | 5.5V | |
| Betriebstemperatur min. | -40°C | |
| Anzahl der Bits pro Wort | 8 | |
| Automobilstandard | Nein | |
| Alle auswählen | ||
|---|---|---|
Marke Infineon | ||
Speicher Größe 256kB | ||
Produkt Typ FRAM | ||
Organisation 32k x 8 bit | ||
Datenbus-Breite 8bit | ||
Zugriffszeit max. 70ns | ||
Montageart Oberfläche | ||
Gehäusegröße SOIC-28 | ||
Pinanzahl 28 | ||
Normen/Zulassungen RoHS | ||
Maximale Betriebstemperatur 85°C | ||
Minimale Versorgungsspannung 2.7V | ||
Anzahl der Wörter 32k | ||
Maximale Versorgungsspannung 5.5V | ||
Betriebstemperatur min. -40°C | ||
Anzahl der Bits pro Wort 8 | ||
Automobilstandard Nein | ||
Der FRAM-Speicher von Infineon ist ein nicht flüchtiger 32 K x 8-Speicher, der ähnlich wie ein Standard-SRAM liest und schreibt. Ein ferroelektrischer Zufallszugriffsspeicher oder FRAM ist nicht flüchtig, was bedeutet, dass Details nach dem Entfernen der Stromversorgung beibehalten werden. Es bietet eine Datenspeicherung für über 151 Jahre und beseitigt gleichzeitig die Bedenken hinsichtlich der Zuverlässigkeit, die funktionalen Nachteile und die Komplexität des Systemdesigns von batteriegesichertem SRAM. Die schnelle Schreibzeit und die hohe Schreibdauer machen den FRAM überlegen gegenüber anderen Speichertypen.
RoHS-konform
Geringer Stromverbrauch
Kompatibel mit SRAM und EEPROM
Überlegen gegenüber batteriegesicherten SRAM-Modulen
Beständig gegen negative Spannungsunterschläge
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