Infineon FRAM 4 kB, 512 x 8 bit 20 ns SPI Oberfläche SOIC 8-Pin

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Herst. Teile-Nr.:
FM25040B-G
Marke:
Infineon
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Marke

Infineon

Produkt Typ

FRAM

Speicher Größe

4kB

Organisation

512 x 8 bit

Schnittstellentyp

SPI

Datenbus-Breite

8bit

Zugriffszeit max.

20ns

Montageart

Oberfläche

Taktfrequenz max.

20MHz

Gehäusegröße

SOIC

Pinanzahl

8

Länge

4.97mm

Normen/Zulassungen

No

Breite

3.98 mm

Höhe

1.38mm

Maximale Betriebstemperatur

85°C

Betriebstemperatur min.

-40°C

Automobilstandard

AEC-Q100

Anzahl der Wörter

512

Maximale Versorgungsspannung

5.5V

Anzahl der Bits pro Wort

8

Minimale Versorgungsspannung

4.5V

FRAM, Cypress-Halbleiter


Ferroelectric Random Access Memory (F-RAM) ist energieeffizient und verfügt über die höchste Zuverlässigkeit der nicht flüchtigen RAM-Speicher sowohl für serielle als auch parallele Schnittstellen. Teile mit Suffix A wurden für den Einsatz in der Automobilindustrie konzipiert und sind AEC-Q100-zertifiziert.

Nicht flüchtiger ferroelektrischer RAM-Speicher

Hohe Schreibgeschwindigkeit

Lange Lebensdauer

Geringer Stromverbrauch

FRAM (Ferroelectric RAM)


FRAM (ferroelektrischer Arbeitsspeicher) ist ein nicht flüchtiger Speicher, der eine ferroelektrische Folie als Kondensator zum Speichern von Daten verwendet. Besitzt die Eigenschaften von ROM- und RAM-Elementen. F-RAM zeichnet sich durch Hochgeschwindigkeitszugriff, lange Lebensdauer im Schreibmodus, niedrigen Energieverbrauch, nicht flüchtigen Speicher und hervorragende Manipulationssicherheit aus. FRAM ist daher der ideale Speicher für Smartcards, die hohe Sicherheit und niedrigen Energieverbrauch fordern, ebenso wie für Mobiltelefone und andere Geräte.

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